文 |   半导体产业纵横

2025 年，全球晶圆厂的扩产节奏明显加快，但一个反常现象出现了：光刻机的出货总量却在下降。

从当前全球光刻机的市场供应格局来看，具备商用光刻机批量生产能力的厂商仍高度集中，核心玩家仅有荷兰 ASML、日本佳能、日本尼康三家；国内虽有部分企业实现了光刻机的小批量出货，但因尚未形成规模化量产规模，暂未纳入本次主流市场的统计范畴。

光刻机三巨头，出货几何？

ASML，出货约 327 台

回顾过往，2016 年及以前，ASML 的 EUV 光刻机年出货量仅 1-5 台，DUV 光刻机年出货量约 150 台；2017 年后，EUV 出货量逐年攀升，2023 年达到峰值 53 台，同期 DUV 出货 341 台；2024 年，ASML 光刻机总出货量创下历史最高，为 418 台。

但 2025 年这一趋势出现转折。根据 ASML 发布的 2025 财年业绩报告，第四季度新售出光刻系统 94 台、二手系统 8 台；全年新光刻系统 300 台、二手系统 27 台，相比 2024 年的 380 台新系统、38 台二手系统，出货总量明显下滑。

分机型来看，EUV 光刻系统表现亮眼，销售额同比增长 39% 至 116 亿欧元，对应确认 48 台收入，首台 EXE:5200B 系统完成现场验收并入账；DUV 光刻系统则有所承压，销售额同比下降 6% 至 120 亿欧元，确认 279 台收入，首款面向 3D 集成市场的 XT:260 系统已交付并确认收入。两者合计，2025 年 ASML 已确认收入的光刻机约 327 台，较 2023 年、2024 年显著回落。

中国市场仍是 ASML 的重要支撑，2025 年占其净系统销售额的 33%，位居全球首位，但这一比例较 2024 年的 41% 有所下降。为满足中国内存厂商的需求，ASML 计划 2026 年第四季度推出新款浸润式 DUV NXT：1965i。该机型由 1980i 系列降规而来，既符合美国出口规范，又能适配中国内存企业的需求，有望为 2026 年四季度及 2027 年业绩提供助力。

展望未来，依据蔡司半导体的扩产规划，ASML 预计 2027 年 EUV 出货量将达 80-85 台，DUV 出货量将达 380-400 台，重回增长轨道。

尼康 + 佳能：合计出货约 318 台

尼康与佳能暂未公布 2025 年光刻机准确出货数据，但从两家财报预测中可大致推算。其中，尼康 2025 年 4-9 月半导体光刻机销量为 9 台，低于去年同期的 10 台；同时，尼康将本年度销量目标从上调前的 34 台下修至 29 台，略高于 2024 年的 28 台。

佳能的表现相对稳健，2025 年一季度半导体光刻设备销量 56 台，同比增加 7 台；尽管将本年度销量目标从 308 台下调至 289 台，但相较于 2024 年的 233 台，仍能实现 24% 的同比增长。

综合两家目标推算，2025 年尼康与佳能合计出货量约为 318 台。

据此计算，2025 年全球三大光刻龙头的光刻机总出货量约为 645 台。

中国光刻机进口数，下滑！

伯恩斯坦根据中国海关公开数据，对 2025 年中国半导体晶圆制造设备（WFE）进口情况进行了回溯分析。结果显示，2025 年中国晶圆制造设备进口总额达 391.66 亿美元，同比增长 3%，创下历史新高；其中 12 月单月进口额 45.08 亿美元，环比增长 84%，成为全年进口峰值。

光刻机进口方面，2025 年全年进口额与 2024 年基本持平，仅同比下滑 1%，但 12 月光刻机进口额达 23 亿美元，创下月度历史纪录。（相关进口指标包括：沉积、干法刻蚀、光刻机、过程控制系统、材料去除与清洁、其他，以及对应总额和不含光刻的总额）

受美国出口限制影响，ASML 预计，2026 年中国占销售额的比例将降至 20%。

DUV 是国内光刻机的主要进口品类。一方面，国内半导体产业正处于成熟制程扩产、特色工艺突破的关键阶段，DUV 的技术特性可覆盖 7nm 及以上绝大多数制程需求，与产业现阶段发展节奏高度匹配；另一方面，EUV 受美国技术管控无法正常进口，国内企业只能通过加大 DUV 进口，弥补先进制程发展受限的缺口，同时保障成熟制程的产能释放。

近年来国内持续增加光刻机进口，核心原因有三：

其一，内存芯片制造是进口 DUV 的第一大应用场景。国内主流内存企业 2025 年持续推进 3D NAND 与 DDR4/DDR5 内存的扩产，而 3D NAND 的堆叠层数提升、DDR 内存的制程优化，均高度依赖 DUV 光刻机——尤其是 ASML 的 ArF 浸没式 DUV，可通过多重曝光技术实现更高的图形精度，支撑国内 3D NAND 堆叠层数向 500 层以上突破，同时降低存储芯片的单位成本。

其二，成熟制程逻辑芯片生产，也是 DUV 进口的核心刚需。2025 年，国内主流晶圆代工企业持续扩产 28nm、40nm 等成熟制程，广泛应用于消费电子、物联网、汽车电子等领域，而 DUV 正是这类制程的核心光刻设备。其中，ArF 浸没式 DUV 主要用于 28nm（HKC+ 工艺）的生产，可实现高精度图形曝光，保障芯片性能；KrF 干法 DUV 则用于 40nm 及以上制程，兼顾生产效率与成本控制。

其三，特色工艺与功率半导体制造，进一步拓宽了 DUV 的应用边界。在功率半导体领域（如 IGBT、MOSFET），国内相关企业 2025 年加速扩产，这类芯片对光刻精度的要求相对较低，尼康、佳能的 KrF 干法 DUV 基本可以满足需求，用于功率芯片的基片光刻、栅极图形制作等环节，支撑新能源汽车、光伏、储能等领域的功率芯片供应。此外，在射频芯片、传感器等特色工艺领域，DUV 可通过灵活的曝光方案，适配不同芯片的结构需求，弥补高端光刻设备缺失的短板。

谁，拥有最多的光刻机？

在先进制程芯片的制造版图上，EUV（极紫外）光刻机早已不是 " 可选项 "，而是决定产业话语权的 " 入场券 "。那么，谁拥有最多的光刻机呢？

自 ASML 在 2016 年正式量产 EUV 光刻机以来，这十年间全球累计交付的 EUV 设备约为 309 台。其中，台积电独占 157 台，占比高达 50.8% —— 全球一半的 EUV 产能都被这家中国台湾代工厂收入囊中。紧随其后的是三星，其工厂内部署了 76 台 EUV；Intel 则拥有 35 台，SK 海力士 29 台，美光 5 台，而 2022 年才成立的日本 Rapidus 公司，也拿到了 1 台 EUV 作为先进制程布局的起点。

台积电 157 台 EUV  的保有量，绝非简单的 " 设备采购 "，而是其在先进制程代工领域构建霸权的核心支点。从 2019 年首次在 N7 + 工艺中引入 EUV 开始，台积电就将 EUV 与客户需求深度绑定：苹果 A 系列、高通骁龙、英伟达 GPU 等高端芯片的代工订单，几乎全部依赖台积电的 EUV 产能。

三星 76 台 EUV  的布局，折射出其在半导体领域 " 双线作战 " 的战略困境：一方面，在逻辑芯片代工领域追赶台积电；另一方面，在存储芯片领域维持技术领先。不过，这种双重目标导致其 EUV 资源被严重分流。

Intel 的 35 台 EUV，是其 IDM 转型的 " 底气 "；SK 海力士（29 台）和美光（5 台）的 EUV  布局，则聚焦于存储芯片的 " 工艺优化 "。日本 Rapidus 的 1 台 EUV，更像是日本政府推动本土先进制程复兴的 " 破冰之举 "。这家成立于 2022 年的公司，得到了日本政府 5000 亿日元的补贴和 ASML 的技术支持，目标是在 2027 年量产 2nm 芯片。

然而，仅仅是 EUV 的竞争，还不足够。当现有 EUV 的工艺极限逼近 2nm 时，ASML 推出的 High-NA EUV 成为了先进制程竞争的下一个核心战场。

ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 预计High NA EUV 光刻机将于 2027~2028 年正式投入先进制程的大规模量产作业中。目前在导入新一代图案化技术上最积极的是英特尔代工，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。Fouquet 表示，High NA EUV 光刻机目前正由英特尔等客户测试，结果显示新设备的成像和分辨率表现良好，该企业 2026 年的任务之一是与客户合作将设备的停机时间最小化。Fouquet 还提到，ASML 对未来 10~15 年的大致技术路线已有一定的概念，该企业已启动下一代 Hyper NA EUV 的研究。

早在 2023 年末，ASML 就向英特尔交付了首台 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5000 的系统。英特尔将其作为试验机，于 2024 年月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 完成安装。英特尔宣布，已安装了新的 TWINSCAN EXE:5200B 系统。这是目前全球最先进的光刻机，属于第二代 High-NA EUV，将用于 Intel 14A 制程节点。在 ASML 的合作下，已完成 Intel 14A 在英特尔晶圆厂的验收测试，以提高晶圆产量。

作为 ASML 第二代 High-NA EUV 系统，EXE:5200B 基于 2023 年交付英特尔的首台研发机型 EXE:5000 升级而来，核心突破在于其 0.55 数值孔径（NA）的投影光学系统。 相较当前主流的 Low-NA EUV 设备（分辨率约 13nm），EXE:5200B 可实现 8nm 单次曝光分辨率，彻底摆脱多重图案化（Multi-Patterning）的复杂流程。

去年 3 月，三星在其华城园区引入了首台 ASML 制造的 High-NA EUV 光刻机，型号为 "TWINSCAN EXE:5000"。据悉，三星正计划加大对极紫外（EUV）光刻设备的投资，购买新一批 EUV 光刻设备。同时三星将为晶圆代工部门新增两套最新的 High NA EUV 设备，三星计划在 2025 年底和 2026 年初分别交付一套，用于其 2nm 制程的全面生产，其中一套将部署在华城厂区，另一套则可能部署在泰勒晶圆厂。

去年 9 月，SK 海力士在韩国利川 M16 工厂成功引进 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量产型 High-NA EUV 设备。

美国银行预测，ASML 2026 年 High-NA EUV 出货量或仅 4 台，较此前预期减少 50%。

值得注意的是，晶圆代工龙头台积电对 High-NA EUV 光刻机态度谨慎。台积电业务开发及全球销售高级副总裁张晓强 2025 年表示，尽管认可 High NA EUV 的性能，但该设备价格超过 3.5 亿欧元（约 3.78 亿美元）。目前标准型 EUV 光刻机仍可支撑台积电尖端制程生产至 2026 年，公司A16（1.6nm 级）和 A14（1.4nm 级）工艺均不会采用 High NA EUV 光刻机。