快科技 2 月 19 日消息，据媒体报道，面对持续发酵的全球存储器供应短缺，韩国两大半导体巨头正加速产能布局。

SK 海力士计划将原定于 2027 年 5 月竣工的龙仁一期晶圆厂，提前至明年初（2 — 3 月）启动试营运；三星电子也拟将平泽 P4 工厂的投产时间从原计划的第一季度，提前至今年第四季度。

据 KB 证券数据显示，截至今年 2 月，三星与 SK 海力士主要客户的存储器芯片需求满足率仅约 60%，短缺程度较去年第四季度进一步加剧。

市场普遍预期，这一供应紧张态势将延续至 2027 年。花旗集团预测，今年 DRAM 与 NAND 闪存供给增速分别为 17.5% 和 16.5%，而需求增速则高达 20.1% 和 21.4%，供需缺口持续扩大。

在高带宽存储器领域，价格博弈同样升温。传三星新一代 HBM4 报价约为 700 美元，SK 海力士有望跟进这一价格。

这不仅较现有 HBM3E 高出 20% — 30%，相较去年 8 月 SK 海力士供应给英伟达的 HBM4（约 550 美元），涨幅也接近三成。市场预期，受存储器量价齐升带动，三星与 SK 海力士今年第一季营业利润有望达到 30 兆韩元。

与此同时，美国存储器大厂美光科技也加紧扩产步伐。该公司近日宣布，计划在新加坡投资 240 亿美元扩建晶圆制造厂，以应对全球存储器短缺，加速提升产能供给能力。