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首款2nm芯片成了!Exynos 2600告别祖传发热:三星一雪前耻
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快科技 3 月 2 日消息,为了深入测试三星自研芯片 Exynos 2600 的发热表现,有博主在最高画质下针对多款热门游戏进行了实测。

本次测试涵盖了《英雄联盟》、《原神》以及《崩坏:星穹铁道》,测试期间的环境温度保持在 26 ℃左右,测试机型分别为三星 Galaxy S26 和 Galaxy S26+。

在实际运行中,Exynos 2600 表现出了令人惊喜的温控能力。运行《英雄联盟》时,Galaxy S26 的平均温度仅约 32 ℃。而在负载更高的《原神》测试中,S26+ 在运行 15 分钟后,设备正面最高温度仅为 38 ℃,背面则在 37 ℃至 37.5 ℃之间轻微波动。

即便面对负载极高的《崩坏:星穹铁道》,Galaxy S26+ 虽然偶尔会出现帧率下降,但发热依然控制得极其稳健。设备正面最高温度只有 39 ℃,背面最高温也维持在 38 ℃左右。

对于那些长期忍受数代 Exynos 芯片散热表现糟糕的三星用户来说,这无疑是一个极为振奋的好消息。

这份出色的散热成绩得益于底层工艺的全面革新,据悉,Exynos 2600 是三星首款采用 2 纳米 GAA 工艺打造的芯片。这是一种全新的 3D 晶体管架构,配合三星最新的 FOWLP 封装技术,从物理层面大幅提升了能效比。

更关键的创新在于该芯片引入了创新的 HPB 技术,这是一种直接与处理器接触的铜基散热器设计,同时巧妙地将 DRAM 内存移至侧面布局。

这种结构优化使芯片的热阻性能提升了 30%,让内部热量能够更迅速地导出,有效避免了热积聚现象的发生。

在性能跑分方面,Exynos 2600 同样展现出了稳健的实力。其实测单核成绩为 3105 分,多核成绩则高达 10444 分。尽管单核表现与骁龙 8E5 仍存在一定差距,但其多核性能已稳稳跻身行业第一梯队水准。

这种在保持高性能输出的同时还能兼顾极佳散热的设计,预示着三星在自研芯片领域正迎来质的飞跃。

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