【三星据悉与英伟达合作加速研发下一代 NAND 闪存】财联社 3 月 13 日电，据媒体援引未具名业内人士的话报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代 NAND 闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种 " 物理信息神经算子 " 模型，能以比现有模型快 10,000 倍以上的速度分析铁电基 NAND 器件的性能，并公布了研究成果。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电 NAND 闪存。