在数据中心大量需要 HBM 内存的情况下，三星可以说是出尽了风头。但其实，SK 海力士才是 HBM 市场的老大。去年第三季度，SK 海力士的营收市占率达 57%，而三星和美光则分别只有 22% 和 21%。但在市场风评中，SK 海力士的 HBM4 性能却不如三星，这使得他们有些尴尬，在 HBM4E 上将着重提升性能，以夺回被三星抢走的风头。

SK 海力士在 CES2026 上展示的 HBM4

据韩国《朝鲜日报》报道，SK 海力士正在考虑引入台积电的 3nm 工艺作为 HBM4E 逻辑芯片的主要制造工艺，因为他们提供给英伟达的 HBM4 采用 10nm 级第五代（1b）DRAM 核心芯片和基于台积电 12nm 工艺的逻辑芯片，而三星则是 10nm 级第六代（1c）DRAM 工艺的核心芯片和 4nm 工艺的逻辑芯片，从制程上就可以看出三星的 HBM4 性能会更优秀，三星也是业内首个量产出货 HBM4 的公司，结结实实地抢了 SK 海力士的风头。 

在 HBM4 产品上，SK 海力士是英伟达的最大供应商。业内人士称，其拿下了英伟达 HBM 订单的至少 2/3，远高于三星。但毕竟 SK 海力士要大批量供货，所以把稳定性和良率放在重点。现在 SK 海力士看到自己落后了这么多，也决心提高自己产品的性能，于是有引入台积电 3nm 制程生产逻辑芯片的打算。

不过业内人士指出，在目前 " 定制化 HBM" 风潮下，客户会选择根据自己的需求来定制逻辑芯片，所以不管是 3nm 还是 12nm 制程都会被考虑进来。考虑到英伟达下一代的顶级 AI 芯片 Vera Rubin Ultra 版本大概率会用到更先进的 HBM4E，SK 海力士如果不希望订单被三星抢走，上 3nm 制程会是必选项。三星都已经在英伟达 GTC2026 大会上秀出自己的 HBM4E 了，SK 海力士看着能不着急吗？