快科技 3 月 27 日消息，全球半导体工艺最先进的已经到了 2nm 节点，然而成熟工艺中的 28nm 依然不会被淘汰，中芯国际实际上还在打磨这代工艺，日前又报告了 2 款 28nm 工艺的进展。

根据中芯国际的 2026 年度 " 提质增效重回报 " 行动方案报告所说，在 28nm 工艺领域，公司 28nm 超低漏电平台已发布新一代 PDK 及配套标准单元库、存储编译器等设计工具包，目前正导入多款不同类型产品开展验证工作。

此外，28nm 嵌入式闪存平台已完成关键工艺开发，实现全流程贯通，SRAM 及闪存基本功能顺利达成。

这里可以看出，中芯国际打磨的 28nm 工艺中，逻辑工艺有超低漏电方向的，低漏电意味着功耗会更低，目前已经发布了工具包，正在导入产品验证。

存储方向的 28nm 则是嵌入式闪存，已经全流程贯通，但正式发布、商用应该还需要一定时间。

在闪存工艺上，中芯国际之前的报告中提到的是 38nm 工艺级别，显然现在的 28nm 工艺核心面积会更小，密度会提升。

不过中芯国际的闪存也不会跟三星、SK 海力士、美光、铠侠等公司竞争，还是传统路线的 2D 工艺，非 3D 闪存，主要用于嵌入式平台，一般消费级产品见不到。

28nm 工艺自台积电 2011 年量产算起已经超过 15 年了，目前全球每年的代工市场价值依然有 120 亿美元左右，是非 FinFET 工艺中性能、成本、功耗比较均衡的一代，被称为黄金节点。

台积电虽然近年来主要靠先进工艺，但 28nm 营收去年依然贡献了 10% 左右的营收，全球份额高达 70% 以上，中芯国际大约占 10% 全球份额，在这方面发力依然是必要的。