证券之星消息，根据天眼查 APP 数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为 " 一种半导体器件形成方法 "，专利申请号为 CN202011054646.X，授权日为 2026 年 3 月 20 日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件形成方法，在一真空反应腔内进行，包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，所述介电质层上方和所述开口内设有底部抗反射涂层，所述开口周围的底部抗反射涂层上方设置光刻胶层；向所述真空反应腔内通入反应气体，对所述开口进行刻蚀，该反应气体包括第一气体和第二气体，第一气体包括 NO，第二气体包括 CO 和 / 或 CO2，反应气体对底部抗反射涂层的刻蚀速率大于对光刻胶层的刻蚀速率。本发明提供的 NO/CO 反应气体，可达到对 BARC 与 PR 的选择比与基础条件相当，对 BARC 的刻蚀速率大幅提升，PR 的 CD 尺寸大幅减小，对 SiN 介电质层的氧化能力降低，使得后续湿法刻蚀晶片损失降低的效果，且刻蚀均一性也能满足要求。

今年以来中微公司新获得专利授权 37 个，较去年同期减少了 2.63%。结合公司 2025 年中报财务数据，2025 上半年公司在研发方面投入了 11.16 亿元，同比增 96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 29 家企业，参与招投标项目 76 次；财产线索方面有商标信息 109 条，专利信息 1623 条，著作权信息 13 条；此外企业还拥有行政许可 77 个。

数据来源：天眼查 APP

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