快科技 3 月 29 日消息，碳化硅是第三代半导体中的核心，此前美国公司 Wolfspeed 长期占据技术及市场主要份额，现在国内的天成半导体宣布成功研制出 14 英寸（350mm）碳化硅单晶材料。

天成半导体此前的记录是 12 英寸，这次的 14 英寸碳化硅单晶材料又是依托自主研发设备研发出来的，而且有效厚度达到了 30 毫米。

天成半导体于 2021 年在太原成立，主要从事半导体器件专用设备制造，电子专用材料研发，新兴能源技术研发等。

从公开报道来看，公司 2022 年宣布 6 英寸碳化硅衬底投产，实现了从 4 英寸到 6 英寸的技术升级。

而在去年 11 月份，西山日报就报道称该公司攻克了 12 英寸碳化硅 " 双路线 " 难题，分别研发成功 12 英寸导电型碳化硅单晶材料、12 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料。

今年 3 月份，再次从 12 英寸提升到了 14 英寸，有效厚度 30 毫米也是关键指标，对碳化硅晶圆来说，长得大同时长得厚是很困难的。

14 英寸晶圆的面积大约是目前主流 6 英寸晶圆的 5 倍以上，这意味着在同等生产周期下，单片晶圆产出的芯片数量大幅增加，从而使单颗芯片的成本有望下降 60% 以上。

此前碳化硅单晶材料的晶圆尺寸是 12 英寸，国内也有多家企业量产，全球最大的碳化硅材料企业美国 Wolfspeed 今年 1 月份才宣布造出单晶碳化硅晶圆。

碳化硅（SiC）单晶材料作为第三代半导体（宽禁带半导体）的核心，是支撑电力电子、微波射频等领域实现突破的关键战略物资，具有耐高压与高功率、高导热与耐高温、低损耗等优势，是新能源、光伏储能、智能电网及 5G 射频等领域的重要材料。

在这个领域，欧美公司一度是全球主导力量，美国企业长期占据 60% 以上份额，Wolfspeed 一家曾一度占据全球 40% 以上的供应量。

不过近年来国内企业在这方面提升极快，不论技术还是产能都在爆发增长，如今随着 14 英寸碳化硅晶圆的问世，技术上开始领先了。

再这么发展下去，很快碳化硅又要被一些人说成不再是高科技技术了。