3 月 29 日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地正式开工。该项目总投资 1.8 亿元，占地 32 亩，将建设封装测试工厂、研发及可靠性实验室等，规划总产能达年产 300 万只 IGBT/SiC 模块。一期工程将于 2027 年 3 月投产，年产 150 万只车规级 SiC 模块，并引进百余台先进设备及 MES 追溯系统，实现产线自动化与数字化。此前，利普思刚完成亿元 PreB+ 轮融资，由扬州国金与龙投资本领投，资金用于该基地建设及市场拓展。公司已开发超 300 款产品，出口 20 余国，覆盖新能源汽车、电网、储能等领域。当天，利普思还发布 4 款 SiC 新品，并与为恒智能、速豹科技等多家企业签署战略合作。