3 月 29 日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地正式动工。该项目总投资 1.8 亿元，占地 32 亩，规划年产 300 万只 IGBT/SiC 模块，一期建设 2 条车规级 SiC 封装测试产线，预计 2027 年 3 月投产，年产能达 150 万只。项目将引入百余台设备及 MES 系统，实现产线自动化与数字化。利普思成立于 2019 年，专注 SiC 功率模块研发生产，已开发超 300 款产品，出口 20 余国。公司 3 月中旬完成亿元 PreB+ 轮融资，由扬州国金等投资，用于基地建设和市场拓展。当天还发布 4 款新品，并与多家企业签署战略合作，董事长丁烜明表示将聚焦重卡等领域，力争成为 SiC 模块头部企业。