快科技 4 月 17 日消息，据媒体报道，三星正全力推进下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端 AI 内存市场进一步巩固自身优势。

据媒体报道，三星电子计划最早于 2026 年 5 月生产出首批符合英伟达标准的 HBM4E 样品。

业内人士透露，三星制定了明确且紧凑的时间规划：目标是在下月中旬之前，由其代工部门成功生产出 HBM4E 核心逻辑芯片的样品。

这些核心逻辑芯片将与专为 HBM4E 设计的 DRAM 芯片进行封装，从而制成首批工程样品。在完成内部严格的性能评估，并确认各项指标达到预期后，这些样品将被送往英伟达进行进一步验证。

在技术规格方面，三星电子的 HBM4E 与前代 HBM4 保持一致，均采用 1c nm DRAM Die 与 4nm Base Die。不过，三星在工艺细节上进行了精心改进与优化，旨在提升产品的整体性能和竞争力。

三星晶圆代工部门承担着关键的生产任务。按照规划，该部门需在 5 月中旬前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产工作，随后交付给存储器业务部门，以开展后续的 3D 封装工序。