快科技 4 月 17 日消息，据报道，ASML 在 2026 年第一季财报会议上披露了 EUV 光刻机分别在低数值孔径（Low NA）与高数值孔径（High NA）机种方面的最新路线图。

会议上，ASML 释放了两条让台积电三星大客户安心的重磅信息。其一是 Low NA EUV 技术将继续服役至 2031 年；其二是 High NA EUV 加速走向量产阶段。

ASML CFO 戴厚杰明确表示，2026 年 Low NA EUV 出货至少 60 台，2027 年至少 80 台，管理层已将供应链准备至 Low NA 90 台 / 年的产能能力。

到 2030 年，Low NA EUV 设备每小时晶圆处理能力将从目前的 220 片提升至 330 片，产能增长 50%。

客户报告显示，High NA 技术可将 EUV 光刻所需掩模数量从 3 块减少到 1 块，工艺步骤从 100 步压缩至 10 步。该技术可覆盖未来 3 至 4 个制程节点，显著降低芯片制造成本。

ASML 计划 2027 年推出 NXE:5200C 系统，主要面向 2nm 及以下制程节点。

三星电子已率先行动，计划采购两套 High NA EUV 设备用于 2nm 制程量产，分别于 2025 年底和 2026 年初交付。

台积电方面，首台 High NA EUV 光刻机已移送至全球研发中心，用于 A14 等未来先进工艺的开发。

此外，SK 海力士已宣布订购价值约 80 亿美元的 EUV 设备，三星电子也下达了约 40 亿至 50 亿美元的订单。

ASML 同步上调 2026 年全年净销售额预期至 360 亿至 400 亿欧元，同比增长 10% 至 22%。