快科技 4 月 18 日消息，据报道，三星电子已正式决定将高带宽内存（HBM）的研发周期从此前约两年大幅缩短至一年以内。

据悉，三星已制定并正在执行一项计划，每年推出新一代 HBM，以配合英伟达等主要客户新款 AI 加速器的发布节奏。

HBM 是 AI 加速器的核心组件。三星目前最新量产产品为 HBM3E，下一代 HBM4 预计今年随英伟达 Vera Rubin 及 AMD Instinct MI400 平台一同推出。

今年 3 月，三星曾在英伟达 GTC 2026 上公开展示 HBM4E 实体样品，可实现 16Gbps 传输速率及 4.0TB/s 带宽。首批 HBM4E 样品已锁定 2026 年 5 月产出，将优先供应英伟达进行评估。

但 AI 加速器厂商已普遍转向每年更新一代产品的发布周期，HBM 供应商若无法同步跟进，将面临技术滞后乃至客户流失的风险。

更紧迫的是，市场研究机构 Counterpoint 数据显示，2026 年 SK 海力士预计占据全球 HBM 市场约 54% 的份额，三星仅约 28%。

三星此次主动压缩研发周期，本质上是以供应链节奏对齐客户路线图，将自身嵌入 AI 硬件生态的核心链条。

三星内存产品与技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 GTC 2026 上已透露，HBM5 的基础裸片将从 4nm 工艺跨代升级至 2nm 工艺。