快科技 4 月 20 日消息，特斯拉 CEO 埃隆 · 马斯克近日在 X 平台披露了下一代 AI 芯片的详细路线图。

继 AI5 芯片在三星成功流片后，AI6 与 AI6.5 两款 2 纳米芯片将分别交由三星和台积电在美国本土工厂生产。

马斯克证实，AI5 芯片为了赶进度做出若干设计妥协，但最终比原计划提前 45 天完成流片还是让他感到欣慰。

即将推出的 AI6 芯片将补足这些缺憾。AI6 采用三星位于得克萨斯州的 2 纳米工艺，搭配 LPDDR6 内存标准，性能比 AI5 提升一倍。

在 AI6 之后，特斯拉规划了进一步优化的 AI6.5 版本，该芯片将采用台积电亚利桑那工厂的 2 纳米工艺，性能在 AI6 基础上继续增强。

AI6 与 AI6.5 的一项关键设计改进是：专用于 SRAM 的 TRIP AI 计算加速器数量减半。这使得 SRAM 缓存内任何计算的有效内存带宽，比 DRAM 带宽高出一个数量级。

特斯拉 AI 硬件与推理软件负责人表示，通过删除了以往特斯拉知识产权中的遗留模块，将为特斯拉、SpaceX 和 xAI 未来的 AI 项目打造出更高效、更优化的芯片。

AI5 目前由三星和台积电共同生产，预计 2026 至 2027 年进入量产。AI6 和 AI6.5 的目标时间窗口则为 2027 年至 2029 年。