【CNMO 科技消息】在 AI 计算需求持续爆发的背景下，三星电子正凭借其在 DRAM 和 NAND 闪存领域的全球最大产能与先进技术，加速向 " 全球 AI 基础设施关键供应商 " 转型。据最新行业动态显示，英伟达、谷歌等全球科技巨头正争相与三星签订 3 至 5 年的长期内存供应协议（LTA），以锁定未来 AI 基础设施所需的关键半导体资源。

三星电子设备解决方案部门负责人全永铉（音译）副董事长在上月举行的公司年度股东大会上明确表示："我们正在推进 3 至 5 年的多年供应合同，这将为双方提供可预测的业务稳定性和可见性，并使我们能够灵活调整投资规模。" 这一策略标志着三星在内存供应模式上的重大转变，旨在主动应对 AI 时代的市场波动。

三星在备受关注的高带宽内存（HBM）领域也取得关键进展。尽管在第五代产品 HBM3E 上遭遇交付延迟，但在第六代 HBM4 上，三星从开发初期便率先引入了 10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺，并通过扩大芯片尺寸重新设计，成功通过了英伟达的早期质量验证，成为首家实现 HBM4 量产出货的供应商。市场研究机构 Counterpoint Research 预测，三星今年有望在 HBM 市场恢复近 30% 的份额。

三星在下一代低功耗内存技术上也加速布局，首款基于 LPDDR5X 的 SOCAMM 2 模块已通过英伟达验证并投入量产，搭载于英伟达 Vera CPU 中。该模块容量达 192GB，每颗 CPU 可配置 8 个模块，总容量达 1.5TB，最高速度达 9.6Gbps。同时，三星正在积极推动 LPDDR6 标准化进程，JEDEC 已确认其在 LPDDR6 标准制定中扮演了核心角色。

在存储技术方面，三星正凭借其 176 层 QLC NAND 等领先工艺，维持全球 NAND 市场约 28% 的份额。同时，公司正加速量产 280 层第 9 代 V-NAND，并积极布局被称为 "NAND 领域 HBM" 的高带宽闪存（HBF），目标是在 2028 年实现商用化，以应对 AI 基础设施对存储带宽的长期需求。