快科技 4 月 22 日消息，三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术 D1d DRAM 的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代 HBM5E 内存的量产计划。

此次出问题的 D1d DRAM 是三星第七代 10 纳米级工艺，原本是未来 HBM 解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代 HBM 产品 HBM5E 上。

虽然该技术此前已拿到预生产批准，但良率持续低于目标水平，让试运行的投资回报率都成了问题，更不用说大规模量产了。

据熟悉三星内部情况的人士透露，三星计划直到 D1d 良率达到目标水平才会重启量产，目前恢复时间表完全没有确定，三星内部正在全面重新审视工艺路线图，试图进一步提高良率。

值得注意的是，三星现有的 1c DRAM 技术目前正稳定用于三代 HBM 产品，包括 HBM4、HBM4E 和 HBM5。

HBM4 预计在今年晚些时候推出。英伟达的 Vera Rubin 和 AMD 的 MI400 平台都会采用 HBM4，HBM4E 预计将用于 Rubin Ultra 和 MI500 加速器。

再往后的 HBM5 及定制设计，预计会被英伟达的 Feynman 系列等方案采用。

三星此前被报道正在大幅缩短 HBM 开发周期，新方案准备速度前所未有。但开发速度快不代表就能直接量产，生产周期现在成了最大瓶颈。

与此同时，三星也在加码产能建设，已在韩国温阳投入额外资源兴建一座面积相当于四个足球场的大型芯片厂，专门用于生产包括 HBM 在内的下一代 DRAM 产品，该厂将负责封装、测试、物流和品控等关键环节。

三星的老对手 SK 海力士已在 D1d DRAM 技术上完成研发并确保了良率。

双方目前都在争抢头部 AI 公司的大单，谁能把 HBM 规划做得更灵活，在保证良率和稳定投资回报的前提下做到持续研发与生产，谁才能笑到最后。