虽然三星电子的 10 纳米级第七代 DRAM（即 1d DRAM）已经完成了预生产批准（PRA）流程，但是据韩媒《朝鲜日报》报道，三星最终还是叫停了量产计划。

1d DRAM 是三星将用于第九代高带宽内存 HBM5E 的关键芯片，虽然当前的 1c DRAM 覆盖了第六代到第八代内存（HBM4、HBM4E、HBM5），工艺也十分成熟。但 HBM5E 需要的是更强大的性能，用 1c DRAM 可能会因为物理极限而产生瓶颈，所以需要容量更大、速度更快的 1d DRAM 来顶上。

三星在 GTC   2026 上展示的 HBM4E

据悉，三星原计划在今年一季度进行 1d DRAM 的试产，但是卡住三星的还是良率这个问题。三星管理层在评估了情况之后，认为工艺难度呈指数型增长，担心良率不及预期将导致投资回报率下降。而且据消息人士补充称，目前也没有客户对 1d DRAM 表现出意向，所以管理层决定无限期推迟量产。这良率难道要成为继电池之后的第二个 " 心魔 "？

《朝鲜日报》称，半导体行业是良率定生死的行业，1% 的良率变动就关系到数万亿韩元（1 万亿韩元 =46.2 亿人民币）的利润，三星在这个节骨眼下选择谨慎对待也就不无道理了，原安排在 1d DRAM 项目组的 400 多人都已经停工。至于何时复工，那起码也得等到良率达标为止。  受此影响，HBM5E 或许也要延期了。

三星的这个决定也加剧了内部的危机感，因为据称 SK 海力士在 1d DRAM 上的进展相对更加顺利。业内人士称，三星去年在 1c DRAM 和 1d DRAM 同时发力的路线是错误的，还不如集中力量怼其中一个方向。三星这个选错路线的传统艺能也是没谁了。