快科技 4 月 22 日消息，据媒体报道，最近有消息人士透露，三星基于 1dnm 制程（第七代 10nm 级别工艺）的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。

三星已计划无限期推迟大规模量产，直至良品率达到既定目标。为此，三星可能会全面审查工艺流程，以进一步提升良品率。

按照原计划，三星拟将 1dnm 工艺制造的 DRAM 芯片用于 HBM5E，即第九代 HBM 解决方案。

值得注意的是，除了 HBM4 之外，目前采用 1cnm 工艺的 DRAM 芯片还将被用于 HBM4E 和 HBM5，覆盖连续三代 HBM 产品。另有传闻称，三星可能升级下一代 HBM 的基础裸片，改用更先进的 2nm 工艺。

目前，三星已在 1dnm 工艺 DRAM 芯片上投入更多资源，并在韩国建设一座新工厂。

据悉，该工厂占地面积约为四个标准足球场大小，除生产 DRAM 芯片外，还将承担封装、测试、物流及品控等环节，这些工序对于维持稳定生产至关重要。