台积电表示，芯片需求将持续保持强劲，预计 2026 年资本支出将达 520 亿至 560 亿美元区间的高位，以美元计的全年营收增幅将超 30%。此外，Intel 和 AMD 已通知客户，将全系列服务器 CPU 上调价格，交货周期显著延长。2 月以来 CPU 普遍涨幅在 10-15%。AMD 多次强调 26 年 CPU 已全面售罄，未来 3-5 年内数据中心业务年增长率或超 60%，短期内需求没有任何放缓或停止的迹象。

受此消息催化，科创芯片 ETF（588290）今日上涨 2.37%。重仓股中，寒武纪 -U 上涨 0.53%、海光信息上涨 2.63%、中芯国际上涨 0.38%。截止上个交易日数据，该基金 15 日累计涨幅 18.09%，动能强劲。该 ETF 的管理费仅为 0.15%，托管费 0.05%，是全市场跟踪同一指数中费率最低的产品。对于长期投资者而言，低费率意味着更多的收益留存，成本优势显著。

全球芯片产业链正面临结构性变革，存储芯片短缺持续加剧，美光科技等企业预测紧缺状况将延续至 2026 年后，HBM 存储芯片年增长率预计超 40%。

存储芯片价格持续上涨，行业产值创历史新高，2026 年存储器产值预计同比激增 134%，三星电子已在第一季度将 NAND 闪存价格上调超 100%，且涨价势头预计延续。DRAM 和 NAND Flash 的价格涨跌幅区间为 5.95%-63.43%，存储涨价效应从 AI 扩散到其他领域，在供给持续收缩趋势下，存储价格涨势仍将持续。

从具体芯片类型来看，HBM 与高端 DRAM 成为存储厂商盈利增长核心。SK 海力士 HBM 销售额同比增长逾一倍，驱动整体业绩创新高；三星电子 HBM4 芯片已通过英伟达、AMD 认证，将于 1Q26 开始交付。HBM 作为 AI 服务器的核心配套器件，成为头部厂商的业绩增长支柱，AI 相关 DRAM 与 NAND 产品销量有望持续扩大。

目前，中国正积极应对这一趋势，深圳市发布人工智能服务器产业链发展计划，明确支持存储芯片研发及先进封装技术攻关，构建适配大模型训练的高端存储供应体系。（声明：以上信息仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，投资需谨慎。）

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