快科技 4 月 23 日消息，韩国首尔中央地方法院近日就一起 " 半导体商业窃密案 " 作出一审判决。一名 56 岁的三星前工程师，因向中国某存储芯片企业泄露核心芯片制造技术，违反韩国《产业技术保护法》，被判处 7 年有期徒刑。

这是去年年底三星商业窃密系列案的首起有罪宣判。2025 年年底，韩国检方曾对 10 名三星前员工提起公诉，指控他们向某存储芯片企业泄露关键芯片制造知识产权。

法院审理查明，该工程师窃取了超过 600 项 DRAM 制造的详细工艺步骤，核心为三星 10nm 级 DRAM 的全套研发与生产数据。

法院明确，涉案技术属于韩国 " 核心国家技术 "，泄露行为给韩国带来了潜在万亿韩元级别的经济损失，也让对手存储芯片企业获得了技术先发优势，其 10nm 级 HBM2 内存产品的亮相时间远早于行业预期。

公开数据显示，三星为 10nm 级 DRAM 技术投入了约 1.6 万亿韩元（约合 10.8 亿美元）研发资金，整个研发周期长达五年。该工程师在研发周期内从三星离职，随后入职对手公司。他主要通过手写笔记的方式，向对方传递了芯片制造核心机密。

检方指控显示，全某通过此次技术泄露，累计获得 29 亿韩元（约合 200 万美元）的资金回报，同时还拿到了对手公司的股票期权及其他合同约定的激励权益。法院在最终量刑时，将该工程师案发时在三星的薪酬偏低情况，列为了减刑考量因素。

检方认为，三星被盗的知识产权，直接推动了对手公司的技术快速突破，其技术跃迁速度，在先进光刻机获取受限的背景下，远超行业常规发展节奏。

当前全球存储芯片市场格局正在发生变化。惠普、华硕、戴尔等头部终端厂商，正考虑向中国存储企业采购内存产品。核心原因是主流 DRAM 厂商均集中产能，优先生产 AI 加速器所需的 HBM 产品，通用内存出现了明显供应缺口。