4 月 23 日，两市探底回升，芯片设计概念下跌。相关 ETF 方面，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）标的指数收盘跌 1.30%，成交额达 6996.19 万元；换手率达 13.71%。成分股中，芯原股份、佰维存储、灿芯股份跌超 5%，泰凌微、成都华微、聚辰股份等多股跟跌。

科创芯片设计 ETF 天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达 73.35%，其行业配置主要包括半导体（95.1%）、军工电子Ⅱ（4.16%）、软件开发（0.75%）等，前五大成分股为澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪。

消息面上，据第一财经，费城半导体指数大涨 2.63%，创下自 1994 年以来最长连涨纪录，海外市场情绪高涨。同时，据今日头条，存储巨头 SK 海力士一季度财报显示 DRAM 与 NAND 平均售价环比大幅上涨，且据新浪财经，国内长鑫存储与长江存储均已启动新一轮扩产。此外，据财联社，广东省印发行动方案，明确支持高性能计算芯片、端侧 AI 芯片等研发及产业化；据集微网，长电科技光电合封产品已实现客户样品交付，产业链协同与技术突破信号明确。

兴业证券认为，AI 浪潮推动芯片设计向更高算力密度与能效比演进，先进封装与 HBM 内存协同成为关键。端侧 AI 的兴起正刺激低功耗 SoC 与 RISC-V 架构需求，而国产替代主线聚焦于先进工艺扩产与供应链自主可控，带动设计上游环节价值重估。

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