快科技 4 月 24 日消息，据报道，三星电子全球首次成功产出了基于 4F ² 架构的 DRAM 工作晶圆，一举突破了传统平面 DRAM 长期面临的物理微缩极限。

据悉，今年 2 月，三星已在 ISSCC 2026 会议上首次公开展示了这颗融合 4F ² 架构的 16Gb DRAM 原型。

三星 3 月运用 10a 工艺完成晶圆生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合 4F ² 单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。

技术上，4F ² 架构将传统 DRAM 的单元面积从 6F ² 缩减为 2F × 2F 正方形结构，理论上可提升单位面积容量 30% 至 50%，同时兼顾速度与功耗优势。

为实现这一结构，三星引入了 VCT 技术，将晶体管沟道垂直树立，在有限芯片面积内增加沟道长度，有效缓解传统平面晶体管在微缩时遭遇的短沟道效应与漏电问题。

另一方面，三星采用了晶圆间混合铜键合技术，将存储单元阵列与外围电路在不同晶圆上分开制造再垂直堆叠，实现超高密度互联。

通道材料也从传统硅换为铟镓锌氧化物（IGZO），以在缩小单元中抑制泄漏电流。

未来同尺寸 DRAM 芯片可以塞进更多单元，轻薄本、智能手机等终端设备有望在小体积、低功耗前提下，获得更大内存容量和更快数据吞吐速度。

三星为此规划了清晰的路线图—— 2026 年完成 10a DRAM 开发，2027 年开展品质测试，2028 年转入量产。

SK 海力士计划在 10b 节点引入 4F ² +VCT，美光则维持现有设计路线，中国厂商因 EUV 受限直接布局 3D DRAM。