（全球 TMT2026 年 4 月 24 日讯）近日，第十一届电子设计创新大会（EDICON 2026）在北京召开。三安光电旗下子公司三安集成受邀出席，并发表了题为《三安射频技术在下一代应用中的布局》的技术报告，深入分享了其在砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）及滤波器领域的最新工艺进展。

三安集成在报告中详细展示了最新一代砷化镓工艺 HP56 的性能表现。对比三安的前代工艺，HP56 在 3.5GHz 频段下保持良好线性度的同时，实现了更高的功率增益和更优越的最大功率附加效率，相比前代 HP12 工艺，增益提升了 2.6dB，效率提升了 2.6%，能够有效支持甚高频及更大带宽调制信号放大并显著降低 PA 功耗。报告同时客观指出，随着功率密度的提升，芯片会面临更明显的热失控风险。对此，三安集成提出了具体的工艺优化建议，通过调整结构和金属间距，可以有效降低结温，缓解热耦合效应。

三安集成也同步展示了在氮化镓工艺与滤波器产品上的技术布局：氮化镓（GaN）技术新一代工艺重点针对功率密度与电流崩塌效应进行了优化；公司的 1109 NTN SAW 滤波器系列已覆盖 n256 频段及 BDS 接收频段。