当前全球存储市场正处于 AI 算力爆发驱动的超级周期，大模型训练、云计算与数据中心建设全面提速，算力需求呈指数级增长，直接带动高性能存储芯片供需持续紧张。在存储芯片中，DDR5 凭借在数据传输速率、带宽和能效等方面的优势，成为了高性能计算、高端 PC、笔记本及服务器的核心配置。

DDR5 内存的高效稳定运行，离不开板载电源管理芯片（PMIC）的支持。思远半导体作为深耕电源管理芯片领域十余年的厂商，针对市场需求爆发，推出了专为 DDR5 SODIMM 和 UDIMM 设计的电源管理芯片 SY5888，凭借强大的功率级集成、出色的超频性能、高可靠性等优势，获得了市场的高度认可。

DDR5 性能翻倍提升，集成电源管理方案成为关键

作为新一代 DRAM 动态随机存取存储器，DDR5 采用先进多通道架构，单条内存带宽实现翻倍，运行频率大幅提升。高速运转下，负载电流变化更快、波动更强，因此对供电电压精度、动态响应速度与稳定性要求极高，传统主板集中供电的方式，已难以适配 DDR5 的高性能运行需求。

为解决高频、高负载下的供电不稳、调压延迟等问题，DDR5 首次将电源管理芯片集成在内存条上。

相较于传统主板供电方案，板载 PMIC 设计实现了更高的电源转换效率和更低的能耗，以及更精确、更稳定的电压调节，增强了电源管理功能与监控能力，同时能够优化主板设计，节省主板空间，支持更高的内存密度和未来升级，改善高频信号完整性。

专为 DDR5 设计，思远半导体推出 SY5888存储电源 PMIC

作为专注于高性能模拟芯片、数模混合信号 SoC 芯片创新设计的企业，思远半导体在电源管理领域深耕十余年，沉淀了扎实的技术底蕴与丰富的行业经验。

紧抓 DDR5 带来的市场机遇，思远半导体顺势推出专为 DDR5 SODIMM 和 UDIMM 设计的 SY5888 电源管理芯片，为 DDR5 内存模块的稳定运行与性能提升提供强有力的支持。

思远半导体 SY5888 存储电源 PMIC，集成 3 个高效降压 DC-DC 转换器（SWA/SWB/SWC）与 2 个 LDO，支持内存条最高超频至 8000MT/s。其中，SWA 和 SWB 默认单相输出，可配置为双相模式；两路 LDO（VOUT1_1.8V/VOUT2_1.0V）分别为 SPD 集线器和温度传感器稳定供电。芯片提供 FC-QFN28 3mm × 4mm 封装，无卤无铅，符合 RoHS 标准。

SY5888 核心规格参数：

（1）4.25V 至 5.5V 工作电压范围：

SWA 默认 1.1V，最大 6A，0.8V~2.2V，10mV+ 补偿  

SWB 默认 1.1V，最大 6A，0.8V~2.2V，10mV+ 补偿

SWC 默认 1.8V，最大 2A，1.5V~2.135V，5mV+ 补偿

（2）DCDC VOUT 精度：± 0.75% DC（FCCM）± 2.5% 直流 + 交流

（3）FSW：0.75MHz 至 1.25MHz，步长 250KHz

（4）SWA/B 双相作配置两个线性稳压器：

VOUT_1.8V： 1.7V 至 2.0V，步长 0.1V

VOUT_1.0V： 0.9V 至 1.2V，步长 0.1V  

（5）1.0MHz I2C/12.5MHz I3C 接口

（6）支持 Intel XMP3.0 OC 规格

（7）支持 LDO 功率重置

（8）内置 MTP 非易失性存储器

（9）支持安全 & 可编程模式

（10）集成 ADC 用于 Vol/Current/Power 消耗监视器

（11）VIN_OVP/SWA/SWB/SWC OCP/UVP 过温保护

（12）PWR_GOOD&GSI_n 指示状态

（13）符合 JESD301-2 V1.0.3

四大核心优势，助力 DDR5 高性能稳定运行

一、完全符合 DDR5 JEDEC 标准

DDR5 内存技术遵循 JEDEC 制定的 JESD79-5 标准，为开发者提供两倍于上一代的性能以及显著提升的电源效率。SY5888 完全符合 JESD301-2 标准，在客户端的多样化应用场景中，都能稳定发挥作用。

二、强大的功率级集成

高效降压 DC-DC 转换器：SY5888 集成了 3 个高效降压 DC-DC 转换器：SWA/SWB/SWC。这些转换器峰值效率均超过 90%，高于 JEDEC 标准，能够将 5V 输入电压精准地转换为 DDR5 内存模组各组件所需的 1.1V 和 1.8V 电压，精度达到 1%，保障数据的高速读写与处理，避免因供电不稳定导致的数据传输错误或系统卡顿。

稳定的 LDO 供电：芯片具有两个 LDO，分别为 VOUT1_1.8V 和 VOUT2_1.0V。主板通过读取 SPD 信息来正确配置内存的工作状态。VOUT1_1.8V 和 VOUT2_1.0V 为 SPD 集线器供电，保障 SPD 信息的准确传输与管理。

在 DDR5 内存高频运行过程中，温度的实时监测对于保障系统稳定性至关重要。VOUT2_1.0V 为温度传感器供电，实时监测内存模组的温度变化。SY5888 通过稳定的 LDO 供电，确保温度传感器能够精准反馈温度数据，以便系统及时采取功耗管理措施。

三、出色的超频性能

在内存领域，超频性能是衡量内存模组及相关组件性能的重要指标之一。SY5888 支持 DDR5 内存条超频至 8000MT/s 以上，相较于市场上同类产品，展现出卓越的超频支持能力。这一特性使得用户在对内存性能有极致追求的高端游戏电脑等场景下能够充分挖掘 DDR5 内存的潜力。

以高端游戏为例，超频后的 DDR5 内存配合 SY5888 稳定的电源管理，能够显著提升游戏加载速度，减少游戏过程中的卡顿现象，为玩家带来更加流畅、沉浸式的游戏体验。

四、可靠性设计与环保

高可靠性：从设计到生产，SY5888 经过了严格的质量把控与测试流程。在面对 DDR5 内存高频负载波动较大、对电压精度要求极高的挑战时，SY5888 凭借其精准的电压调节精度和快速的动态响应，确保内存模块在高负载运行下的稳定性。并能够最大程度对不同颗粒进行兼容。

环保封装：SY5888 采用 FC-QFN-28 ( 3mmx4mm ) 封装，这种封装形式不仅具备体积小巧、占用空间少的优势，有利于内存模组的小型化设计，还采用了无卤无铅材料，完全符合 RoHS 标准。这意味着在产品的整个生命周期中，对环境的危害降至最低，充分体现了思远半导体在产品设计中的环保理念。

我爱音频网总结

随着全球算力需求持续高涨及 DDR5 内存技术的广泛应用与普及，板载电源管理方案的重要性也将愈发凸显。思远半导体抓住时代机遇，基于深厚的技术积累和创新能力，推出了 DDR5 专用存储电源 PMIC 芯片 SY5888。该方案完全符合 DDR5 JEDEC 标准，凭借出色的性能和可靠的质量，为 DDR5 内存模组的高性能稳定运行提供保障。

目前，思远半导体 SY5888 存储电源 PMIC 已成功实现量产，并获得了知名大客户的采购。这不仅证明了 SY5888 在技术性能上的卓越表现，也显示出市场对其高度认可。未来，随着思远半导体持续深耕存储电源管理芯片领域，期待其推出更多优质的国产化方案，助力各行业在数字化时代实现更高效率的运算与数据处理。

深圳市思远半导体有限公司成立于 2011 年，专注高性能模拟芯片、 数模混合信号 SoC 芯片的创新设计，致力为智能穿戴、存储、数据中心、新能源等行业提供领先的电源管理芯片。

近两年来，思远半导体深耕智能穿戴产品市场，累计出货量超过 15 亿颗。客户包括三星、荣耀、小米、OPPO、一加、vivo、传音、魅族、1MORE、Nothing 等国内外知名品牌，服务全球数亿消费者。同时，公司战略性地重点推出 DDR5 和 SSD 的 PMIC 等产品，成为第一个纯国产研发并量产的厂家，为 DDR5 PMIC 的国产化迈出关键一步，引领市场发展，助力推动国内存储器产业链的完善和自主可控能力的提升。