快科技 5 月 1 日消息，武汉近日发布 2026 年重大项目规划，380 亿美元（约合人民币 2600 亿元）存储半导体扩产计划宣告落地。

扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻 3D NAND 与 DRAM 两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计 2026 年底投入量产，2027 年达成月产能 5 万片的阶段性目标。

长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现有水平提升超过 100%，出货量有望超越 SK 海力士和美光，剑指全球 NAND 闪存第三席位，仅次于三星和铠侠。

武汉新芯同步推进三期扩产，总投资 280 亿元。武汉新芯深耕 NOR Flash 特色工艺，是国内规模最大的 NOR Flash 芯片制造厂商，目前拥有两座 12 英寸晶圆厂，每座月产能超 3 万片。

产能翻番的背后，是 AI 算力对存储芯片的需求加大。TrendForce 最新数据显示，单台 AI 服务器对 DRAM 的需求是传统服务器的 8 倍，对 NAND Flash 的需求是 3 倍。

高盛预测 2026 年全球 DRAM 供需缺口将达 4.9%，为 15 年来最严重。而原厂产能爬升需要 12 至 18 个月，供需缺口短期内难以填平。

存储芯片价格在 AI 需求的持续拉动下大幅上涨，产业链企业的业绩同步兑现。其中佰维存储 2026 年 Q1 实现营业收入 68.14 亿元，同比增长 341.53%；归母净利润 28.99 亿元，相当于 2025 年全年净利润的 3.3 倍。