《科创板日报》5 月 6 日讯 据 ETNews 报道，三星电子已重启碳化硅（SiC）半导体代工业务，近期已恢复与合作伙伴关于建设 SiC 生产线的相关磋商，目前与材料、零部件及设备领域的企业探讨技术引进和商业化策略。

据悉，三星电子甚至已与部分合作伙伴就 SiC 生产所需新增设备的规模展开讨论。业内人士预测，三星电子将于今年开始建立供应链，预计 2027 年将建成原型生产试点生产线，并将于 2028 年开始量产 SiC。

据此前报道，三星已投资约 1000 亿至 2000 亿韩元用于先进工艺设备，包括来自 Aixtron 的 MOCVD 系统，以支持 SiC 和 GaN 晶圆的加工。业内人士表示：" 此前暂停的 SiC 代工业务已正式重启。" 他补充道：" 我们已开始着手将其打造为三星电子新的增长引擎。"

事实上，早在 2023 年，三星电子便已着手为 SiC 业务做准备。由于当时市场对 8 英寸硅晶圆代工产能的需求逐步走弱，公司为确保未来新的增长动力而转向 8 英寸 SiC，以克服 8 英寸生产线利用率低的问题，还同时利用现有设备提高投资效率。

随着三星电子进军 SiC 市场，预计将与现有厂商展开竞争。包括安森美半导体、意法半导体、英飞凌等全球企业，以及德高集团、SK Key Foundry 等韩国国内企业，都在积极拓展碳化硅业务。

SiC 是由硅和碳组成的化合物，属于第三代半导体材料，核心优势体现在更高耐压、更低损耗与更强热管理能力，使其在高压、高频、高温场景下具备系统级效率优势。基于该材料的半导体相比传统硅基器件，能够承受更高的电压与温度。

随着先进封装、AIDC 供电等领域技术持续迭代，行业核心矛盾由产能约束转向热管理问题。

国金证券认为，SiC 有望进入产业放量期。在数千瓦级功耗、局部热点超 150 ℃的应用场景中，SiC 可快速均化热量、抑制翘曲形变、提升装配良率与长期可靠性。SiC 有望以热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入 CoWoS，充分发挥材料优势并降低工艺适配难度。

国投证券指出，AI 机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800V HVDC 高压直流架构是下一代 AI 数据中心的必然选择。随着 AI 服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC 功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随 800V HVDC 方案推进而扩大。