【CNMO 科技消息】5 月 8 日，CNMO 科技从外媒获悉，三星电子已在上月完成平泽 P5 工厂第一阶段系统密封工程的设备数量审核，预计下半年将正式进入主体施工阶段。P5 工厂将按照多个阶段顺序建设，此次进展较此前预期提前约半年。

三星电子平泽区域鸟瞰图

据了解，系统密封工程是为构建半导体制造所需的洁净室，在天花板结构上安装过滤器、照明、面板等设备的工序。其洁净室通过控制温度、湿度、压力等环境参数，将洁净度维持在极高水准，是防止制造缺陷的必要空间，也是工厂建设中最早启动的环节。

P5 工厂规划建设 6 个洁净室，共 3 层结构。其空间规模约为拥有 4 个洁净室、2 层结构的 P4 工厂的 1.5 倍。业界预计，P5 与计划 2028 年后动工的 P6 工厂合计产能，将达到现有 P1 至 P4 四座工厂的总和水平。P5 预计于 2028 年正式投产，可能设计为可同时容纳 DRAM、NAND 和代工生产线的混合多厂形式。

三星电子计划将 P5 第一阶段建设为 1c 纳米尖端 DRAM 专用生产线。1c 纳米工艺的电路线宽约为 11 至 12 纳米，相比上一代 1b 纳米工艺，在能效和集成度方面均有提升。三星电子将 1c 纳米技术率先应用于第六代 HBM4 的核心芯片，以实现差异化竞争力。据三星介绍，基于 1c 纳米工艺的 HBM4 实现了 11.7Gbps 的传输速度，较国际半导体标准组织 JEDEC 规定的 8Gbps 标准提升约 46%，最高可达 13Gbps，满足英伟达等主要客户提出的 11Gbps 以上性能要求。

三星电子内存战略营销室副社长金在俊在近期财报电话会议上表示，公司 HBM 销售额预计同比增长超过 3 倍，1c 纳米等最先进工艺确保了产品竞争力。他指出，HBM4 的性能规格提升由三星主导，客户采用其产品后，卓越性能已转化为实际溢价。

三星电子计划在下一代 HBM4E 中也采用 1c 纳米核心芯片。HBM4E 目标实现每引脚 16Gbps 速度和 4.0TB/s 带宽，预计于第二季度向主要客户提供首批样品。为巩固 HBM 市场主导地位，三星电子正加速 1c 纳米产能扩张。同样作为 1c 纳米生产线的 P4 第四阶段和第二阶段的洁净室建设已接近尾声，预计下半年起主要前工序设备将陆续搬入。

半导体行业相关人士表示，平泽 P4 第四阶段和第二阶段的洁净室设备搬入已基本进入收尾阶段，P5 工厂预计下半年正式启动施工。