【北京 · 海淀】成本高昂、效率低下、性能受限——这些长期困扰 Micro LED 芯片行业的普遍性难题，正被北京中微赛尔科技有限公司（以下简称 " 中微赛尔 "）逐步攻克。近期，中微赛尔凭借独创的"S-W" 工艺完成关键突破，成功实现红光、绿光、蓝光三基色（RGB）全色域12 英寸晶圆重构，在 Micro LED 芯片生产中极大降低成本、提高效率、改良性能，并为下一代单片全彩产品的量产奠定坚实基础。中微赛尔位于北京海淀，是一家专注于 Micro LED 等前沿显示技术的科技企业。公司立足于 chip-wafer晶圆重构技术思路，创新提出 "S-W" 工艺，从底层解决发光材料与控制电路晶圆尺寸不匹配的行业核心难题，并基于此开发出 DRSP 像素架构。

一、Micro LED 行业中核心难题：" 发光材料 " 和 " 控制电路 " 的晶圆尺寸不匹配

Micro LED 行业中，受限于当前技术，发光材料（半导体外延晶圆，如 GaN、GaAs）通常为 4 英寸或 6 英寸，而控制电路（CMOS 驱动晶圆，12 英寸硅基产线）则为 12 英寸标准。两者关系如同 " 灯泡 " 与 " 灯泡开关电路板 "，必须精确匹配。然而尺寸不统一导致行业被迫 " 削足适履 " ——将 12 英寸驱动晶圆切小，浪费率达 23% 左右；或或者牺牲部分性能，采用 8 英寸硅基化合物外延与 8 英寸 CMOS 驱动晶圆的方案，但依然存在浪费且无法有效解决红光难题。

二、中微赛尔独创 "S-W" 工艺：在 12 英寸大硅片上高效重建发光层

中微赛尔立足于 chip-wafer 晶圆重构技术思路，创新提出 "S-W" 工艺。此工艺在建构 12 英寸Ⅲ - Ⅴ族化合物外延片的同时，结合半导体制程特点，采用 chiplet 转移，实现了较高量产效率。中微赛尔 "S-W" 工艺的本质，是在 12 英寸大硅片上高效重建高性能Ⅲ - Ⅴ族化合物发光层，使发光材料与控制电路尺寸完美匹配，可直接在主流 12 英寸产线上进行高效、低成本的一体化制造。

S-W 工艺实物（中微赛尔独创）

S-W 工艺示意（中微赛尔独创）

三、中微赛尔独创 "S-W" 工艺技术优势一览

1. 更先进工艺：12 英寸晶圆兼容更先进工艺制程，可设计生产更高精度、更先进的产品；

2. 更高效率：更大晶圆尺寸，量产效率更高，生产成本更低；

3. 更高产品良率：匹配目前主流 CMOS 驱动电路制程，良率显著提升；

4. 更强量产性：采用芯片组进行转移，提高转移效率，具备更强量产能力。

四、中微赛尔提出 DRSP 像素架构：为单片全彩奠定基础

为适应行业对单片全彩的迫切需求，中微赛尔提出DRSP 像素架构。随着 "S-W" 工艺的突破，DRSP 架构的开发获得坚实基础。相比业内原有方案，DRSP 具备以下显著优势：

· 驱动衬底键合次数少，生产良率高，量产成本更低；

· 彩色像素架构更紧凑，发光位置更集中，有利于 micro-Lens 效率提升，整体出光效率提高 5% 以上；

· 红光区域面积最大，有效规避红光 " 尺寸效应 " 短板，全彩产品亮度高于行业水平一倍以上；

· 发光层可根据材料特性及亮度需求灵活调整，获取最高发光效率（效率再提高 5% 以上），使产品在寿命、亮度、效率方面均具明显优势。

五、中微赛尔推动 Micro LED 终端生态繁荣发展

12 英寸晶圆重构以及 "S-W" 量产关键工艺的成功验证，为 Micro LED 的规模化量产及成本大幅下降铺平了道路，将极大推动 Micro LED 终端生态的繁荣发展——覆盖智能穿戴、CPO 光通信、光医疗、光计算、光存储、下一代空天通信等众多前沿领域。中微赛尔正以自主核心技术，持续引领 Micro LED 行业从 " 实验室 " 走向大规模低成本 " 量产线 "，为全球显示产业注入中国创新的强劲动力。

北京中微赛尔科技有限公司专注于 Micro LED 等前沿显示技术，拥有晶圆重构、S-W 工艺、DRSP 架构等多项核心创新，致力于解决 Micro LED 芯片行业成本、效率、性能难题，推动下一代显示技术规模化应用。中微赛尔为 Micro LED 规模化量产及成本大幅下降铺平道路，极大推动终端生态繁荣发展

注：文中技术描述基于中微赛尔官方验证数据，符合国家相关科技法规及市场监管要求。