快科技 5 月 25 日消息，据报道，三星正在加速其中国西安工厂的 NAND 闪存工艺迭代，目前已启动 V9NAND 洁净室建设，并推进 V8NAND 产能爬坡，同时逐步淘汰 V6NAND 产能。

西安工厂的 V6NAND 生产已进入收尾阶段，此前该厂于 3 月 30 日完成了从 128 层 V6NAND 向 236 层 V8NAND 的技术升级投资。

三星计划在今年内完成 286 层 V9NAND 的投资并进行量产准备，目标是在 2027 年实现全面产出。

在该过渡期内，V8NAND 与 V9NAND 将在西安工厂并行生产。目前西安工厂承担了三星全球约 40% 的 NAND 产量。

与此同时，V10 NAND 产能优先供应本土市场，后续发展仍存变数。有消息称，三星去年原本计划 2026 年上半年建成 V10 产线，并于下半年正式量产，但目前相关采购订单尚未出现实质性增长。

在全球市场表现方面，受云服务商对企业级 SSD 需求驱动，全球前五大 NAND 闪存供应商今年第一季度合并营收环比增长 83.7%，总额超过 389 亿美元（约合 2822 亿元人民币）。

其中，三星第一季度 NAND 营收达 135.1 亿美元（约合 980 亿元人民币），环比增长 104.7%，全球市场份额从 28% 提升至 31.6%。

SK 海力士与铠侠位列其后，市场份额分别为 17.6% 与 13.9%。中国存储产业在政策与本土化供应链支持下，正向 300 层 NAND 大规模生产迈进。