三星位于西安的 NAND 闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。作为全球单个产能最高的 NAND 闪存工厂，占据了三星约 40% 的 NAND 闪存产量。三星去年开始升级西安工厂的生产线，已经完成第一阶段的升级工作，可生产 236 层第 8 代 V-NAND 闪存。传闻今年内将有第二阶段升级，以支持 286 层第 9 代 V-NAND 闪存的生产。

据 TrendForce 报道，三星在今年 3 月底已经开始生产第 8 代 V-NAND 闪存，并逐渐减少 128 层第 6 代 V-NAND 闪存的产量。三星正在推进新的投资，开始建设适配第 9 代 V-NAND 闪存生产的洁净室，下半年工程将提速，预计今年内完成建设。三星的目标是 2027 年开始生产第 9 代 V-NAND 闪存，将在一段时间内与第 8 代 V-NAND 闪存并行生产。

另外三星也在准备第 10 代 V-NAND 闪存，不过生产方面优先考虑韩国国内。虽然去年有报道称，三星计划今年上半年开始建设第 10 代 V-NAND 闪存的生产线，并在下半年开始量产，但是似乎并没有任何实质性的进展，看起来新一代存储技术仍存在不确定性。

TrendForce 的最新研究报告显示，三星是 2026 年第一季度的头号 NAND 闪存供应商，营收环比增长高达 104.7%，升至 135.1 亿美元，市场份额也从 28% 提升至 31.6%，牢牢占据该领域市场份额第一的位置。

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