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汇顶 3D 堆叠 /3D 封装 核心专利

CN115346936B — "3D 芯片封装结构及封装方法 "

授权公告日：2026.02.03

发明人：袁燕文、冷寒剑、韦亚

结构：第一芯片基底 die+ 第二芯片直接坐上面 → 绝缘封装层包裹第二芯片 → 第一电连接结构贯穿绝缘封装层连通两 die → 核心目的是省掉中介层 / 省掉第二 die 内 TSV 导电通孔，缩短互连距离、降阻抗。

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