三星在 2013 年推出了第一款量产的 3D NAND 闪存，称为 V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星从 24 层 V-NAND 闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第 9 代 V-NAND 闪存，层数达到了 290 层。随着人工智能（AI）的蓬勃发展，市场除了 HBM 这类高带宽存储器，也需要更多层数的 NAND 闪存。此前有消息称，到 2030 年，三星会将 V-NAND 闪存的层提高至 1000 层。

据 TECHPOWERUP 报道，三星正在稳步朝着 1000 层 NAND 闪存目标迈进，然而随着制造复杂性增加，仅靠单一芯片无法实现这一目标。三星选择转向先进封装解决方案，利用 CMB（Cell   Multi-Bonding）技术，这是一种通过混合键合实现的晶圆堆叠变体，将两个 450 层 V-NAND 模块堆叠成一个 NAND 闪存，从而将层数提升至 900 层，原型设计的样品已经得到了验证。

去年三星在 ISSCC   2025 上展示了第 10 代 V-NAND 闪存，总层数超过了 400 层，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将 COP（Cell-on-Periphery）结构和混合键合技术结合。新产品的主要目标除了创纪录的有源层数，重点是 COP 结构和混合键合技术的结合。

凭借 321 层 4D NAND 设计，目前 SK 海力士保持着量产 NAND 闪存的最高层数记录。三星计划实现第 10 代 V-NAND 闪存的量产，不过还需要几个季度的时间。据了解，三星计划 2027 年带来第 11 代 V-NAND 技术，将数据传输速度提高 50%。

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