国家知识产权局信息显示，中天晶科（宁波）半导体材料有限公司申请一项名为 " 用于碳化硅晶体生长的坩埚及碳化硅晶体生长方法 " 的专利，公开号 CN122082105A，申请日期为 2026 年 3 月。

专利摘要显示，本发明提供一种用于碳化硅晶体生长的坩埚及碳化硅晶体生长方法，属于碳化硅制备工艺技术领域，本发明提供的坩埚包括石墨体、第一盖体和第二盖体。其中，石墨体内具有第一腔体，第一腔体顶部具有开口；第一盖体设置在开口上，第一盖体朝向第一腔体内的一面用于固定籽晶，第一盖体上具有孔道，孔道沿高度方向贯穿第一盖体；第二盖体设置在第一盖体上，第二盖体与第一盖体之间具有第二腔体。本发明提供的坩埚及碳化硅晶体生长方法，能够在晶体生长过程中，利用籽晶背部形成的六方空洞缺陷，并以此缺陷作为通道，从籽晶顶部将熔融态掺杂元素引入至生长的碳化硅晶体中，从而在生长晶体内形成均匀分布的光学和色彩效应。

天眼查资料显示，中天晶科（宁波）半导体材料有限公司，成立于 2019 年，位于宁波市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本 53423.3332 万人民币。通过天眼查大数据分析，中天晶科（宁波）半导体材料有限公司参与招投标项目 452 次，财产线索方面有商标信息 4 条，专利信息 130 条，此外企业还拥有行政许可 15 个。

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作者：情报员