【CNMO 科技新闻】5 月 29 日，三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业界首款 12 层 HBM4E 高带宽内存样品，此举距离该公司今年 2 月量产上一代 HBM4 仅过去三个月。

本次交付的 12 层 HBM4E 内存单颗容量达到 48GB，较上一代产品提升超过 30%。三星还表示，未来将根据客户的具体需求，继续扩充 32GB 的 8 层版本以及 64GB 的 16 层产品线。

在核心性能上，HBM4E 的单引脚数据传输速率最高可达 16Gbps，相比 HBM4 提升了 20% 以上。其单堆栈带宽高达每秒 3.6TB，能大幅优化大型语言模型和下一代 AI 计算系统的处理效率。这款新一代存储产品采用了三星先进的第六代 10 纳米级（1c）DRAM 工艺，并结合了三星代工厂的 4 纳米逻辑基础裸片技术制造，确保了优异的生产稳定性。

除了性能升级，能效与散热表现也获得了显著改善。通过采用先进的低功耗设计和优化的封装结构，HBM4E 的能源效率提升了 16%，热阻特性改善了 14% 以上。这些技术演进能够有效减少数据中心高负载运行时的发热量，延长设备的使用寿命。三星计划在完成初步的样品测试与优化后，配合客户日程开启 HBM4E 的大规模量产。