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硅电容器（Silicon Capacitors）预计将在 AI 半导体领域呈现爆发式增长。据了解，英特尔为强化其自有 2.5D 封装技术 "EMIB" 的性能，计划从明年开始大规模采用硅电容器。

最明确的需求方是谷歌。谷歌计划在明年下半年推出下一代 AI 加速器 "v8e"，并在该芯片中采用内置硅电容器的 EMIB 基板。由于亚马逊等其他大型科技企业目前也正在讨论导入 EMIB，因此有评价认为，相关需求可能会急剧增加。

据 27 日业界消息，英特尔计划从明年起在其 2.5D 封装技术中应用硅电容器。

英特尔 2.5D 封装技术 EMIB-T 的概念图

英特尔在 2.5D 封装中采用 " 硅电容器 "，谷歌 AI 芯片率先应用

2.5D 是一种先进封装技术，即在半导体与基板之间插入薄膜形态的中介层。相比仅使用基板的传统封装方式，它能够以更高密度连接电路，因此在 AI、HPC 领域的需求正呈增长趋势。

英特尔为了提高 2.5D 封装的成本效率，设计出了名为 EMIB 的自有技术。EMIB 并不是使用大面积铺开的中介层，而是通过小型硅桥连接芯片与芯片。由于只需在芯片之间需要连接的部位配置硅桥，因此能够以更加灵活、高效的方式进行芯片布局。

最近，EMIB 正作为既有 2.5D 封装市场主导者台积电的替代方案受到关注。这是因为，随着 AI 产业快速发展，台积电的 2.5D 封装产能正面临供应短缺问题。

实际上，全球大型科技企业谷歌也正在关注 EMIB。谷歌已决定在计划明年下半年推出的自研 AI 半导体 "v8e" 中采用 EMIB。其结构是：芯片量产由台积电负责，设计及制造支持由联发科负责，封装由英特尔负责。

不过，外界一直指出，在功耗较大的 AI 半导体中，EMIB 在稳定供电方面正逐渐显现出局限。因此，英特尔计划为 v8e 的稳定封装引入硅电容器、硅通孔电极（TSV）等新技术。

电容器是在电子电路中承担储存和释放电能作用的元件。就硅电容器而言，与传统多层陶瓷电容器（MLCC）相比，其电阻 / 寄生参数（ESL/ESR）低 100 倍以上，因此能够最大限度减少高性能半导体中产生的信号损耗。此外，它采用基于硅晶圆的超薄结构设计，因此可以实现高密度集成。

一位半导体行业相关人士说明称："AI 芯片内高频区域发生的电压降，即电压降低现象，用 MLCC 很难解决，因此据了解，英特尔是将硅电容器作为对此的解决方案来采用的。"" 目前相关供应链已经构建完成，预计明年将正式进入量产。"

EMIB-T 已进入增长轨道，相关生态与市场将共同扩大

此外，英特尔在硅桥中插入了负责电力传输通道作用的 TSV。其核心在于，通过 TSV 缩短基板与芯片之间的电力传输路径，从而改善电源效率和信号完整性。英特尔将其称为 "EMIB-T"。

业界预计，EMIB-T 及硅电容器市场将快速增长。

原因在于，日本揖斐电作为量产 EMIB-T 用半导体基板的主要企业之一，正在积极推进设备投资。

此前，揖斐电原计划将岐阜县河间工厂建设为英特尔 CPU 用基板工厂。然而，该公司推迟了这一日程，并决定在今年上半年将河间工厂正式转为英特尔 EMIB-T 用基板量产线。投资规模为 2200 亿日元，折合韩元约 2.1 万亿韩元。

揖斐电近期通过业绩发布表示：" 河间工厂将从 2027 年开始运转，并于 2028 年正式进入量产。""EMIB-T 用基板产能相较当前需求处于严重不足状态。不过，进一步追加产能相当困难，目前正在与客户讨论方案。"

一位半导体行业相关人士说明称：" 揖斐电的 EMIB-T 专用产线，是在从谷歌、亚马逊、英特尔等客户方获得大部分投资的结构下建设的。"" 这本身就证明，今后基于 EMIB-T 的 AI 半导体将大幅增加，硅电容器也有可能随之一起扩大。"

术语说明

硅电容器（Silicon Capacitor）是在硅上堆叠介电层 / 内部电极，从而形成电容器的产品。通过晶圆研磨（Wafer Grinding），其厚度可以薄膜化至 100 μ m 以下，因此能够在封装中不受厚度限制地应用。此外，它具备低 ESL，有利于电源稳定化，并且对电压和温度变化具有较高稳定性。（来源 = 三星电机）

https://zdnet.co.kr/view/?no=20260528111851#_enliple

（来源：zdnet ）

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