国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其制造方法、电子设备 " 的专利，公开号 CN122121157A，申请日期为 2026 年 4 月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，用于解决如何提高对位线的隔离。该方法包括：提供基底，基底包括交替排布的半导体图案和第一介质层，半导体图案包括沿第二方向延伸的半导体线以及沿第二方向间隔排布且均连接半导体线的多个半导体柱，相邻第一介质层之间形成有暴露半导体线的第一沟槽；在第一沟槽中形成位线结构，位线结构包括位线和第二介质层，位线位于半导体线和第二介质层之间；去除部分第一介质层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；形成至少位于第二沟槽内的隔离结构，隔离结构具有沿第二方向延伸的气隙，气隙在第三方向上的尺寸大于位线在第三方向上的尺寸。如此，实现对位线的更好的隔离效果。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于 2016 年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 6019279.7469 万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了 17 家企业，参与招投标项目 1082 次，财产线索方面有商标信息 283 条，专利信息 673 条，此外企业还拥有行政许可 39 个。

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作者：情报员