快科技 6 月 2 日消息，据媒体报道，三星电子计划采用其自研的 2nm 工艺制造 HBM5 内存，预计 2028 年左右实现量产。

在散热技术方面，HPB（Heat Path Block）将成为 HBM5 中的核心热管理方案。具体而言，HPB 是一种集成在芯片封装内部的金属导热结构，通常以铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF 或 EMC 等聚合物基材料高出约 500 至 1000 倍。

值得一提的是，作为技术验证的一环，三星此前已在 Exynos 2600 芯片中引入 HPB 技术，使该处理器的散热性能相比上代提升 30%，也意味着这一散热技术具备进入移动处理器市场的潜力。

当前，AI 基础设施对散热需求日益旺盛，多种热管理技术在存储领域竞相涌现。

5 月 26 日，SK 海力士推出了 iHBM 解决方案，通过在 HBM 封装内集成一体化冷却元件 "ICE"，降低产品运行时的发热量。

该技术同样将应用于 HBM5 等下一代产品。SK 海力士表示：" 该技术与客户现有 SiP 系统级封装环境具有高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署。"

有分析机构指出，HBM5 架构虽然能够以更高速度处理更大数据量，但也导致内部发热量急剧增加。特别是负责 HBM 与外部 GPU 之间超高速数据传输的 D2D PHY（芯片间物理层），被认为是芯片内部的主要热源之一。

HPB 与 iHBM 的共同特点在于，它们在 D2D PHY 区域内拥有独立的散热路径，从而改善热传导与散热效率，降低热阻并增强系统稳定性。

在散热技术集体升级的预期下，HBM 市场或将维持供不应求的格局。根据 TrendForce 集邦咨询的最新研究，三大原厂的 HBM 年度议价机制，使得合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。

随着时序进入 2026 年第二季度，买卖双方已开始就 2027 年的主流产品 HBM4 供应展开谈判。TrendForce 集邦咨询认为，基于 DRAM 整体供不应求的市况，以及新旧世代 HBM 的高制造难度与高成本，三大原厂将于 2027 年大幅上调 HBM 报价。