快科技 6 月 3 日消息，据媒体报道，联发科发表声明，称其下一代芯片计划独家采用英特尔的 EMIB-T 封装技术，目标于 2026 年第四季度完成流片，2027 年第四季度实现量产。

目前尚不清楚联发科具体哪些芯片会采用 EMIB-T 封装，有分析认为，可能涉及定制 AI 芯片或系统级芯片（SoC）。

据传闻，联发科已在积极引入新的供应商，以应对 EMIB-T 封装带来的订单需求。对英特尔的代工业务而言，这无疑是一场战略性胜利。

过去几个月里，半导体供应链对此已进行了相当长时间的讨论。值得注意的是，谷歌计划于 2027 年发布的 TPU v9 也有可能采用 EMIB 封装。

作为谷歌定制 TPU 的合作伙伴，联发科应当与谷歌一并评估了英特尔提供的封装技术。

EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）是业内首个 2.5D 嵌入式桥接解决方案。英特尔自 2017 年以来一直在出货基于 EMIB 技术的产品。该技术使用小型嵌入式硅桥，在单个封装内部连接多个小芯片，从而取代了体积较大的中介层。

EMIB-T 是在标准 EMIB 基础上的演进版本，重点提升了封装供电效率，并加快了芯片间的通信速度。

标准 EMIB 连接存在悬臂式供电路径，导致较高的电压降问题。而 EMIB-T 引入了硅通孔（TSV），从芯片封装底部直接通过 TSV 桥接芯片进行供电，形成了一条直接、低电阻的供电路径，这对于 HBM4 / HBM4E 的集成尤为关键。

与此同时，TSV 也提高了芯片间的通信带宽。EMIB-T 采用 UCIe-A 互连技术，可将数据传输速率提升至 32 Gb/s 或更高。