快科技 6 月 8 日消息，英伟达最新 AI 平台 Vera Rubin 进入量产阶段，SK 海力士、三星和美光之间的竞争正从层数比拼转向技术攻坚，芯片内部热管理已成为 HBM5 时代的关键突破口。

AI 硬件加速迭代，英伟达、AMD 新一代 AI 服务器 GPU 单芯片功耗逼近 1000W。HBM4 已堆叠 12 至 16 层，HBM5 将迈向 20 层堆叠。

堆叠层数越高，HBM 内部热量积聚越严重，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。英伟达和 AMD 等客户已明确要求 HBM 供应商加强散热管理。

SK 海力士近期发布 iHBM 散热技术，将集成冷却元件内嵌到 HBM 中，在芯片内部开辟直通散热通道。

与传统设计相比，该技术可将热阻降低 30% 以上。SK 海力士计划将 iHBM 应用于其 HBM5 及后续产品。

三星电子在 Computex 2026 上首次公开 HBM5 原型，并推出 HPB 散热方案，将导热块埋入多层 DRAM 裸片之间，相当于在堆叠芯片内部搭建多条独立散热烟囱。

该技术已在第七代 HBM4E 上完成验证，样品已于 5 月底首次交付客户。三星表示，该技术可将热阻降低 16%，HBM5 预计在 2028 年左右实现量产。

美光则主攻低功耗 HBM 设计，并辅以硅通孔沟槽冷却技术。通过在 AI 加速器芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而降低内部热积累。

业内人士指出，散热技术升级将带动高导热材料、先进封装制程需求爆发，重塑半导体供应链。低功耗和热管理技术将是未来 HBM 研发的核心方向。