三星电子与英伟达正将双边合作推向新的深度，谈判范围已从当前产品线延伸至下一代高带宽内存及芯片代工领域，标志着这两家科技巨头在 AI 基础设施供应链上的战略绑定进一步加强。

据 TrendForce News 周二报道，三星电子副会长全永铉（Jun Young-hyun）于 6 月 8 日与英伟达 CEO 黄仁勋举行会谈，双方就 HBM 及代工服务的潜在合作展开讨论。

全永铉表示，近期首要任务是确保今年 HBM4 及 SOCAMM 的稳定供应，同时双方也就明年起的长期合作进行了磋商，涵盖 HBM4E、代工服务及 HBM5。

此次会谈发生在黄仁勋高调访问韩国、并与 SK 海力士举行一系列会面之后，外界对三星能否在英伟达供应链中巩固地位高度关注。全永铉虽未就双方是否将签署长期内存供应协议作出确认，但据 Newspim 报道，他表示三星将竭尽全力作为英伟达的重要合作伙伴支持其成功。

代工合作延伸至下一代 Groq 芯片

在代工业务层面，三星与英伟达的合作范围正在扩大。三星正与英伟达就利用先进制程生产下一代芯片展开谈判，涉及 Drive AGX Thor 自动驾驶芯片及 Groq 语言处理单元（LPU）。

全永铉表示三星目前正以 4nm 和 8nm 制程为英伟达生产自动驾驶及 Groq 芯片，合作还延伸至下一代 Groq 芯片。三星目前以 4nm 制程生产第三代 Groq LPU（LP30），全永铉的表态意味着三星同样具备生产下一代 LP40 的能力——尽管业界此前普遍预期台积电凭借先进封装优势将拿下该订单。

英伟达 CEO 黄仁勋在英伟达韩国 AI 生态系统接待会的问答环节中亦就双方合作作出表态。据 Dealsite 报道，黄仁勋表示英伟达与三星在 ASIC 领域长期合作，目前正共同开发新的 ASIC 产品，双方在内存技术领域也有着长期合作历史。

内存供应覆盖 Vera Rubin 平台全线产品

在内存业务方面，三星已为英伟达的 Vera Rubin 平台提供多款产品。三星正为该平台供应第六代 HBM4 内存，数据传输速率为 11.7 Gbps；同时为 Vera CPU 提供基于 LPDDR5X 的 SOCAMM2 模组，以及基于 PCIe Gen6 的 PM1763 存储解决方案。

在下一代产品方面，三星的 HBM4E 将 DRAM 核心芯片与自研 4nm 代工基础芯片相结合，传输速度达到 14 Gbps，测试中最高可达 16 Gbps。这一技术参数若能顺利量产，将有助于三星在高端 HBM 市场与 SK 海力士展开更直接的竞争。

长期协议悬而未决，合作框架仍在成形

尽管双方合作范围持续扩大，但关键的长期供应协议尚未落定。全永铉在被问及是否将签署长期内存供应协议时未予正面确认，措辞相对审慎。

从整体格局来看，此次会谈涵盖 HBM4、HBM4E、HBM5、代工制程及 ASIC 联合开发等多个维度，显示双方合作已从单一产品采购向更深层次的技术协同演进。对于投资者而言，三星能否在代工端成功争取到 LP40 订单、并在 HBM 供应链中进一步提升份额，将是衡量此轮合作实质进展的关键指标。