快科技 6 月 17 日消息，SemiAnalysis 旗下 STEEL 实验室发布首份公开拆解报告，对华为 Mate 80 Pro 搭载的麒麟 9030 Pro 芯片进行深度逆向分析。确认该芯片采用中芯国际第三代 7nm 级 N+3 工艺制造。

拆解显示，中芯国际 N+3 工艺的最小金属间距（M0 pitch）仅为 32.5nm，比英特尔 18A 工艺在 Panther Lake CPU 上使用的 36nm 间距紧凑约 10%。

在没有 EUV 光刻机的情况下，中芯国际通过纯 DUV 光刻实现了这一指标。

N+3 的晶体管密度达到约 113.4 MTr/mm ²，略高于台积电 N6 的 107.7 MTr/mm ²。SemiAnalysis 指出，英特尔 18A 高密度库的晶体管密度比 N+3 高出约 38%。

N+3 的 M0 层采用自对准四重图案化工艺，台积电 N6 在同一层需双重图案化。这意味着更多的光罩、更高的套刻精度要求和更复杂的工艺流程。

麒麟 9030 Pro 的大核运行频率为 2.75GHz，GPU 方面，Maleoon 935 的 3DMark 跑分略超骁龙 8+ Gen 1。

SemiAnalysis 表示，出口管制并未完全阻断中国芯片的进步，反而推动了中芯国际在没有 EUV 光刻机的条件下，通过更复杂、成本更高的 DUV 多重图案化路径实现追赶。

值得一提的是，华为已转向韬定律技术路线，通过逻辑折叠等创新技术，以系统级集成而非单纯晶体管微缩来延续性能提升。