【CNMO 科技消息】6 月 17 日，CNMO 科技从韩媒获悉，三星正在推进 10 纳米级第七代，即 1d DRAM 的量产准备工作。目前，该公司正与多家供应商合作开发相关生产设备，计划最早于明年第二季度引入这些设备。

三星

1d DRAM 的电路宽度约为 10 至 11 纳米。相比之下，目前已商用的第六代 1c DRAM 的电路宽度约为 11 至 12 纳米。通过进一步缩小电路宽度，新一代 DRAM 将在性能和能效方面获得提升。

此前市场曾有猜测称三星可能于今年启动 1d DRAM 的量产，但考虑到相关核心生产设备仍处于开发阶段，该目标被认为难以实现。业内分析认为，考虑到设备导入后的调试与量产准备周期，三星最早有望在明年年底实现 1d DRAM 的初期量产。

三星平泽工厂

半导体行业相关人士表示，三星目前正与主要合作伙伴积极进行研发，确保 1d DRAM 的良率与性能稳定。虽然具体时间表可能随研发进度调整，但目前的目标是在明年第二或第三季度导入量产设备。另一位知情人士则指出，1d DRAM 是三星内部开发进度较快的工艺项目，预计相关计划将在今年年底进一步明朗。

三星的 1d DRAM 技术在未来的 AI 存储器业务中具有重要地位。根据规划，该技术预计将被采用为 2029 年商用的第九代高带宽内存，即 HBM5E 的核心芯片载体。