钛媒体 App 6 月 17 日消息，据报道，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代 10 纳米级（1d）DRAM 的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始 1d DRAM 的初步量产。1d DRAM 的电路线宽为 10 至 11 纳米。目前商用的最新一代产品是第六代 1c DRAM，其线宽约为 11 至 12 纳米。线宽越窄，DRAM 的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的 1d DRAM 预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于 2029 年实现商业化。（广角观察）