快科技 6 月 18 日消息，据媒体报道，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上，首次公开展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。

与 DRAM 相比，MRAM 在运行速度、使用寿命和量产可行性方面均具显著优势。

据悉，MRAM 功耗远低于传统 DRAM，更重要的是具备非易失特性——断电后数据不会丢失。

此次展出的 5nm MRAM 支持 -40 ℃至 +150 ℃的宽工作温度范围，满足 AEC-Q100 车规标准，三星正按计划稳步推进，目标于 2027 年实现量产。

今年早些时候，三星已在另一学术会议上展示过 8nm MRAM，基于该制程的边缘 AI 芯片也于今年 5 月完成流片。从 8nm 到 5nm 的快速迭代，显示了三星在新型存储技术领域持续加速的研发节奏。