快科技 6 月 23 日消息，三星电子宣布已开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0 产品系列，专为设备端 AI 优化，可支撑设备内部高速 AI 计算处理。

UFS 5.0 基于三星第九代 V-NAND（V9）闪存技术开发，遵循 JEDEC 最新嵌入式存储接口标准。

其数据传输带宽达 10.8GB/s，顺序读取速度 10.8GB/s，顺序写入速度 9.5GB/s，较上一代 UFS 4.1 性能翻倍。

能效方面，UFS 5.0 较上一代提升超 40%。通过引入时钟门控和多电压等新技术，传输同等数据量所需功耗大幅降低。

时钟门控技术可阻断未使用电路的工作信号，多电压技术则为各电路施加最优电压，有效降低功耗与发热。

封装尺寸仅 7.5mm × 13mm × 0.9mm，比前代缩小 16.7%。更小的体积提升了移动设备、可穿戴设备及 XR 设备的设计灵活性与空间利用率，最高支持 1TB 容量。

三星计划今年第四季度启动 UFS 5.0 量产，供应范围将覆盖旗舰智能手机、XR 头显及 AI 可穿戴设备等下一代终端市场。

三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡表示，在设备端 AI 时代，存储已成为决定 AI 体验的关键要素。

据 TrendForce 数据，三星电子今年第一季度以 31.6% 的市场份额位居 NAND 闪存市场榜首，营收约 135 亿美元，较上一季度增长 104.7%。