快科技 6 月 29 日消息，据报道，三星、SK 海力士和美光 6 月 25 日在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵 DRAM 价格，制造了所谓的 " 内存末日 "。

原告约翰 · 特里诺代表近年来购买含传统 DRAM 产品的消费者和企业提起诉讼，指控三家公司利用在全球 DRAM 市场的主导地位，以向 HBM 转型为借口，协同削减 DDR3 和 DDR4 等传统内存的产量，人为制造供应短缺。

诉讼的核心逻辑在于 HBM 对传统 DRAM 产能的挤压效应，HBM 内存芯片在物理尺寸上远大于标准 DDR 芯片，单颗 HBM3E DRAM 芯片的面积约为 DDR 芯片的两倍，这意味着每生产一颗 HBM 芯片就要消耗两倍的晶圆面积。

2026 年 HBM 预计将占全球 DRAM 晶圆产能的约 25%，而 HBM 需求正以每年约 70% 的速度增长。尽管全球 DRAM 晶圆总产能 2026 年预计增长 14%，但分配给传统 DRAM 的产能仅增长 10%，这一剪刀差直接导致了消费级内存的供应缺口。

诉讼认为，三巨头本可以同步扩产传统 DRAM 来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的 HBM，形成事实上的协同减产。

这一协调行动的直接后果是 DRAM 价格在过去四年中上涨约 700%，苹果近期全面上调 iPad 和 Mac 售价就是价格传导的典型案例，也被诉讼列为触发事件。

诉讼还援引了三家公司此前的不光彩记录，2005 年，三星就 DRAM 价格操纵指控向美国司法部认罪，被处以 3 亿美元刑事罚款，这是美国反垄断史上第二大罚款。

同年 SK 海力士也认罪并被罚 1.85 亿美元，加上尔必达的罚款，整起案件总罚金达到 7.31 亿美元，多名高管被判处入狱。

原告认为，三家公司当年就曾通过协调产量和报价来操纵市场，如今只是将同样的手法换成了 "HBM 转型 " 的新包装。

在可预见的未来，HBM 对传统 DRAM 产能的吞噬仍将持续，三巨头在 HBM 领域的寡头地位也让它们有能力继续主导产能分配节奏，这场诉讼能否改变存储市场的供需格局仍有待观察。