美国消费者一怒之下，把三星、SK 海力士、美光，全球 DRAM 三大厂告了！

近期，一桩反垄断的诉讼在加州北区联邦地区法院正式启动提起，原告方指控三星、SK 海力士、美光这三家企业通过人为限制 DRAM 的供应来提高价格，且提出了赔偿的诉求。

具体是怎么回事？原告说，这三家借着向 HBM 高带宽内存转型的名义，协同削减传统 DDR3、DDR4 内存的产量，人为制造了供应短缺。

这个指控其实有一定事实基础。HBM 芯片的物理尺寸比标准 DDR 芯片更大，吃掉的晶圆面积更多。

据预计，2026 年 HBM 大约会占据全球 DRAM 晶圆产能的 25%，其需求还在以每年 70% 的速率持续增长。

并且全球 DRAM 晶圆总产能预计会增长 14%，分给传统 DRAM 的产能只上涨了 10%，这中间的差距便是消费级内存供应出现缺口的直接缘由。

按理说，三大厂商本是可以扩大传统 DRAM 的产能来填补这个缺口，但是他们却最后选择把产能集中到利润更高的 HBM 方面。

你可以说这是商业上的决策，但三家公司几乎在同一时间都这么做，就容易让人揣测是否有默契配合。更为关键的是，三星在这方面是有过不良记录的。

2005 年，三星因为操纵 DRAM 价格被美国司法部罚了 3 亿美元，美光、海力士也都被牵连，总共罚了 7.31 亿美元，还有高管进了监狱。

客观角度来说，现在 AI 方面的需求确实处于快速增长的态势，而且 HBM 所带来的利润真的是远远高于传统 DRAM，所以厂商将产能朝着 HBM 方向倾斜是符合正常商业运作逻辑的情况。

而另从某个角度看，三大厂商在全球 DRAM 市场中占据了超过九成的份额，他们决定把多少产能留给传统内存，那么市场上相应的内存货物数量就只会是那么多。

在这样的寡头垄断格局之下，三大厂商不能仅仅只考虑正常的商业决策，还要去考虑稳定消费市场的供给平衡情况。

尽管三家公司确实也在建设新厂来扩大产能，但对于消费者而言，不管法院最终会作出怎样的判决，未来一两年内存价格很可能还要持续上涨。