财联社 6 月 29 日讯（编辑 周子意）周一（6 月 29 日），韩国总统李在明揭晓了一项高达 800 万亿韩元（约合 5179 亿美元）的宏大计划，作为其主导的产业战略的一部分。

李在明总统周一在总统府青瓦台迎宾馆主持了一次面向全民的投资报告会。李在明在电视直播的发布会上，与全球两大存储芯片制造商三星电子和 SK 海力士的负责人一同出席。

这位总统称，" 半导体、物理人工智能和人工智能数据中心是我们实现重大飞跃的三大支柱。"

宏大的产业战略

如今，三星电子和 SK 海力士已然成为人工智能热潮中的核心企业，随着云服务提供商和技术公司争相扩展人工智能基础设施，市场对高带宽内存芯片（HBM）的需求已超过供应。两家公司已在首尔大都市区及周边地区运营主要半导体设施。

在周一的简报会上，李在明称，三星和 SK 海力士将与供应商投资 800 万亿韩元，在韩国西南部各建设两座新的芯片制造工厂；韩国西南部的光州市和全罗南道也将投资 5000 亿至 20 万亿韩元用于这些项目。

此外，忠清地区将通过 81 万亿韩元投资，打造为先进半导体封装中心，以满足芯片生产扩张的增长；而大邱和庆尚北地区则将成为半导体材料、零部件和设备的创新中心。

李在明称，韩国西南地区将依托丰富而未被充分利用的电力资源，建设大型芯片生产集群，" 为了满足半导体日益增长的需求，我们必须尽快完成目前在建的生产中心。"

这一宣布标志着李在明在推动韩国人工智能和芯片产业目标与缩小地区差距、振兴首尔都市圈以外经济的承诺之间，迈出了前所未有的大胆一步。

韩国第二大半导体集群

会上，韩国产业部长金正官也强调了将光州全罗地区打造为韩国第二大半导体集群的投资计划。

金正官指出，" 仅依赖首尔都市区的单一生产基地已不足以满足激增的半导体需求，" 并指出现有计划中电力和水资源限制了进一步扩张。

为支持扩建，政府承诺将简化许可和施工程序，同时投资关键基础设施，包括电力和工业用水供应。

金正官表示，韩国计划加快西南地区的审批和建设，以迅速扩大存储芯片产能。并且，韩国计划未来 15 年投入 30 万亿韩元研发下一代存储技术，加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。

他补充道，政府将通过将新建晶圆厂的建设进度提前最多 12 年，从 2040 年代中期至 2030 年代中期，来帮助企业加快半导体投资。

此外，这位韩国官员还表示，预计五年内将 DRAM 生产能力翻倍，预计全球内存市场将在 5 年内增长四倍。

三星和海力士竞相表态

三星电子方面，会长李在镕表示，随着人工智能相关芯片需求持续爆发，当前公司产能已不足以满足市场需求，公司正考虑在韩国光州建设新的投资基地。

该公司周一还正式宣布了其投资计划，总额高达 2655 万亿韩元，其宣布将在韩国京畿道中部的龙仁市和西海岸中部平泽市的半导体产业集群投资 2030 万亿韩元。

SK 集团会长崔泰源则在会上宣布，公司将投资 1100 万亿韩元扩大半导体供应。具体来看，该公司决定在龙仁半导体产业群投资约 600 万亿韩元扩大 DRAM 产能，并在清州投资约 100 万亿韩元扩大 NAND 产能。原计划 2045 年完工的龙仁半导体产业群的建设将提前 12 年完成。

同时，SK 海力士计划投资约 400 万亿韩元，在具备必要发展条件的韩国西南部建立新的半导体产业集群。

SK 海力士表示，将根据市场状况，在融资规模和时机上保持灵活性。新晶圆厂的融资将主要依托运营产生的现金流。

此前韩国有媒体报道，三星集团和 SK 海力士将宣布未来 10 年总额达 2000 万亿韩元的重大投资计划，重点布局半导体、人工智能算力数据中心与物理人工智能领域。

（财联社 周子意）