随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK 海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。

诉讼于 6 月 25 日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球 DRAM ( 动态随机存取存储器 ) 市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统 DRAM 产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。

值得注意的是，就在几天前，苹果成为最新一家因存储芯片成本上涨而提高部分产品售价的科技公司。此外，多家手机厂商也已纷纷提价。

这起集体诉讼由 14 名个人消费者以及包括电脑零售商在内的 3 家小型企业共同提起，指控三星、SK 海力士和美光违反了多项美国反垄断法律。

根据诉状，自 2022 年以来，由于当时市场需求疲软，这三家公司开始协同控制 DRAM 供应和价格。在随后的四年中，DRAM 价格累计上涨约 700%。他们还补充称，苹果近期大范围的产品涨价是引发此次诉讼的导火索。

诉状称，三家公司 " 同步削减产能 "，并共同将业务重心转向高带宽存储器 ( HBM ) ，同时逐步退出 DDR3 和 DDR4 等传统存储产品，从而在价格持续上涨期间进一步压缩了传统 DRAM 的市场供应。

作为背景，HBM 广泛应用于 AI 数据中心。由于 AI 企业愿意支付高昂价格采购 HBM，这被认为促使存储芯片制造商将资源更多投入 HBM 生产，而非面向普通消费电子产品使用的传统 DRAM。

今年早些时候，美光宣布彻底关闭旗下消费级内存品牌 Crucial 业务，将资源集中投向 AI 客户。此外，这家美国公司近期还签署了 16 份新的存储芯片供应协议，合同期限均延续至 2030 年，这也意味着当前的内存供应紧张局面可能持续较长时间。

原告认为，在一个充分竞争的大宗商品市场中，当价格大幅上涨时，通常至少会有一家生产商扩大产量以抢占市场份额。然而，这种情况并未发生。

诉状写道：" 三家公司中，没有任何一家利用其他竞争对手减产的机会扩大产能、争夺客户。相反，三家公司一起收缩供应。"

原告因此请求法院发布禁令，以 " 消除被告违法、反竞争行为持续造成的影响 "，并要求法院判令三家公司支付三倍赔偿、承担诉讼费用及律师费等。

诉状还指出，由于行业进入门槛极高，新竞争者几乎无法迅速进入 DRAM 市场。

根据诉状，建设一座 DRAM 晶圆厂的成本高达 150 亿至 200 亿美元，且通常需要数年时间才能建成投产。

此外，生产高良率 DRAM 芯片所需的关键制造工艺积累了数十年的商业秘密；美国出口管制又限制了外国企业获得先进一代生产设备；即使芯片顺利生产出来，进入大型客户供应链之前，还需要经历长达 12 至 18 个月的产品认证流程。

诉状称：" 现实结果就是，当这三家公司限制供应时，没有任何外部竞争者能够迅速扩大产能，以更低价格与其竞争。"

目前，该诉讼规模仍相对有限，但如果法院认可原告主张并正式批准其作为集体诉讼受理，案件影响范围可能进一步扩大。代表原告的反垄断律师事务所 Bathaee Dunne 正寻求将案件扩展为覆盖所有购买含 DRAM 产品的普通消费者和企业的集体诉讼。

消费者方面表示，这并非三家公司首次因涉嫌操纵 DRAM 市场而面临法律诉讼。

诉状援引美国司法部此前针对 1998 年至 2002 年期间 DRAM 价格操纵案展开的调查称，当时三星电子和 SK 海力士分别认罪，并支付了近 3 亿美元和 1.85 亿美元罚款；而美光则因主动向监管部门举报该价格同盟并配合调查，最终免于处罚。

此外，诉状还提及 2016 年至 2018 年期间另一轮 DRAM 价格大幅上涨。当时，美国曾发起相关集体诉讼。

原告指出：" 本案所指控的行为，是同一市场、同一批企业发生的第三轮类似周期。"