快科技 6 月 30 日消息，三星、SK 海力士、美光正在美国面临一起新的集体诉讼，原因是被指联合操控 DRAM 内存价格、限制供货造成市场紧缺恐慌。

本案起诉状，由拟成立集体诉讼的一众个人消费者与企业用户群体共同提交。

诉状指控，三家企业协同削减 DRAM 内存产能，将生产重心转向 HBM 高带宽内存，造成 DDR3、DDR4 内存供货紧缺，推高了消费者和企业采购价格。

诉状原文写道："DRAM 行业寡头同步削减产能、协同转产 HBM、逐步退出 DDR3 与 DDR4 产品线，通过各类手段收紧、锁定传统 DRAM 供货，内存价格随之暴涨，涨幅惊人、涨势迅猛。"

诉状还指出，三星、SK 海力士、美光把持着全球绝大部分 DRAM 市场份额，造成其他新晋和小规模厂商难以快速扩产，因为内存晶圆厂的造价动辄数百亿美元，建设周期长达数年。

诉状称，在充分竞争的市场中，当价格上涨时，至少应该有一家厂商主动扩产，但三家企业就像商量好了一样，均未采取此类行动。

事实上，这不是存储三巨头第一次被提起集体诉讼。

早在 2005 年的美国司法部反垄断调查中，三星、SK 海力士就曾当庭认罪，而美光因为积极配合调查，免于被罚。

因此，这次的新诉讼主张，当前 DRAM 市场乱象，正是这种垄断行为的新一轮循环。

不过目前相关主张都是单方面指控，还需要向法庭举证并核实。